制造太阳能电池阵列的方法技术

一种蚀刻硅材料的方法，它包括：ａ）提供所述硅材料；ｂ）用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻；ｃ）用对于所述氧化物相对呈惰性的蚀刻剂蚀刻所述材料。所述蚀刻剂由氟化氢、硝酸和冰醋酸组成。（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用排列在一金属箔片基体上的硅球体制造太阳能电池的方法，上述电池在受到光照时产生电能。人们已熟知将太阳光转换成其他形式有用能的能量发生系统，由于作为主要能源的太阳具有经济性，所以这样的装置不断地得到发展和改进。基尔比(Kilby)等在美国专利4，021，323中揭示了一种这样的系统，其中由玻璃或塑料之类透明基体组成的太阳能阵列是将在一侧具有N型表层的P型硅粒埋入基体中，或者将在一侧具有P型表层的N型硅粒埋入基体中。尽管布局可以变动，但最好有一半粒子是具有N型表层的P型硅粒而其他是具有P型表层的N型粒子。在基体的背面，穿过基体并隆起的硅粒子用合适的导电的喷镀金属互相联接。硅粒子的表层部分穿过基体的正面。这些阵列被浸入一种电解质中，最好浸入氢溴酸(HBr)中，电解质接触基体的正面。由于接触电解质的导电类型不同的硅粒之间存在电势差，在太阳光下在其间形成电位差，此时氢溴酸电解成氢气和溴，氢气冒泡溢出，而溴则留在溶液内。氢气被收集并成为一种能源，例如，在众所周知的燃料电池和类似的装置中。这种类型的太阳能阵列中，硅粒子单独参与电解。其结果，假如少量粒子的P-N结被短路或被旁路的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻硅材料的方法，其特征在于，它包括的步骤有：ａ，提供所述硅材料，ｂ，用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻，ｃ，用对于所述氧化物相对呈惰性的蚀刻剂蚀刻所述材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻硅材料的方法，其特征在于，它包括的步骤有a，提供所述硅材料，b，用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻，c，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱尔斯D利维，米勒德J詹姆，罗纳德E汉尔，戴维E瓦特，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]