【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，包括提供电接触到一电导层露出的一个区域，该区域经由覆盖层开孔，通过设置复盖层上另外的层被露出，各向异性地蚀刻另外的层，以便露出复盖层表面和电导层区域，因此，在限定露出区域的开孔侧壁上留下部分另外的层，又在覆盖层上形成一电导层，与该电导层的露出区域形成电接触。US-A-4641420叙述了这样的一种方法，其中要被接触的电导层可以为掺杂硅区。虽然另外的层保留下来的部分或垫层，如US-A-4641420所描述的那样，例如氧化硅层，确实也是用作平滑开孔的侧壁，使随后的电导层，可以是一种铝层能更好的复盖，但垫层或留下部分的侧壁可能依然很陡，特别是孔底或凹孔附近，接触区和另外层的垫层或留下部分之间造成一相当陡的曲折或角度，在此处，电导层会出现断裂或变薄。本专利技术的一个目的在于提供，其中以这样一方法形成另外的层的垫层或留下部分，目的在于减少接触区与另外层的垫层或留下部分的侧壁之间弯曲锐度或角度，从而减少导电层出现断裂或变薄的可能性。按照本专利技术，提供，本方法包括提供电接触到一导电层的一个区域，该区经由一覆盖开孔，通过设置于覆盖层...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供电接触到一导电层的一个区域，该区域经由一复盖层开孔，通过设置复盖层上的另外的一层，各向异性蚀刻另外的层，以露出复盖层表面和导电层区域，在以露出区为界开孔的侧壁上留下另外层的部分，并且在复盖层上设置一电导层与露出的另一电导层区域形成接触，其特征在于，通过在复盖层上形成第一种材料的第一层至第一厚度，再在该第一层上以不同的材料形成第二层至第二厚度，组成另外的层，以及采用各向异性蚀刻的工艺，以不同的速率蚀刻第一和第二层，蚀刻第一层的速率要比第二层慢，所以，各向异性蚀刻使复盖层表面和所说的导电层露出后，开孔侧壁仍然由所说的第一种材料和所说的不...
【技术特征摘要】
GB 1988-6-6 8813303.81.一种制造半导体器件的方法，该方法包括提供电接触到一导电层的一个区域，该区域经由一复盖层开孔，通过设置复盖层上的另外的一层，各向异性蚀刻另外的层，以露出复盖层表面和导电层区域，在以露出区为界开孔的侧壁上留下另外层的部分，并且在复盖层上设置一电导层与露出的另一电导层区域形成接触，其特征在于，通过在复盖层上形成第一种材料的第一层至第一厚度，再在该第一层上以不同的材料形成第二层至第二厚度，组成另外的层，以及采用各向异性蚀刻的工艺，以不同的速率蚀刻第一和第二层，蚀刻第一层的速率要比第二层慢，所以，各向异性蚀刻使复盖层表面和所说的导电层露出后，开孔侧壁仍然由所说的第一种材料和所说的不同材料的部分包复着，所说...
【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫斯MFG范拉霍芬，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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