【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片和半导体晶片上的电极、电路基片上的电极、和各种电子器件的电极上形成的突起形成体及其成形方法。对于实现电子设备、系统的小型、轻便和高性能来说，半导体集成电路的高密度安装是不可缺少的。在各种高密度安装技术中，正在开发和实际应用在载体基板和电路基板上安装裸片(裸露芯片)的芯片规模组装(CSP)及多片微型组件(MCM)。在这些裸片的安装技术中，通过突起把裸片连接到基片电极上的《倒装片连接技术》产生的使片子找齐拉平和低成本，成为当前重要课题。所谓倒装片技术是使裸片背向通过突起安装在电路基片上的技术。由于把连接区域限制在芯片区域内，所以是适合于高密度安装的先进方法。在倒装片连接技术中有关起重要作用的突起，其各种材料、结构、形成方法等得到研究。一部分成果已被实际应用。在突起形成方法中大致分为2种。以下对其进行说明。第1种方法是《焊料突起法》，在半导体晶片上形成的各芯片的焊区电极上淀积阻挡层之后，再形成厚度为10-50μm的焊料层。这种情况下，焊料层用真空蒸镀法(如参考特公昭63-4939号公报)，电解电镀法(如参考特开昭63-6860号公报)，或者...
【技术保护点】
一种突起形成体，在基片上设置的电极上形成由导电性材料组成的突起，其特征是突起至少由一层金属喷镀厚膜组成。
【技术特征摘要】
JP 1996-3-21 64237/961一种突起形成体，在基片上设置的电极上形成由导电性材料组成的突起，其特征是突起至少由一层金属喷镀厚膜组成。2如权利要求1的突起形成体，其特征是突起由在电极上形成的底层和在所述底层上形成的表面层组成，所述底层材料是从由铝、含有铝的金属、锌及含有锌的金属组成的组之中选择其中一种。3如权利要求2的突起形成体，其特征是表面层材料是铜或含有铜的金属。4如权利要求1的突起形成体，其特征是，突起由形成在电极上的底层，和形成在所述底层上的中间层，和形成在所述中间层上的表面层组成，所述底层材料是从由铝，含有铝的金属、锌及含有锌的金属形成的组中选择其一。5如权利要求4的突起形成体，其特征是中间层材料是铜或含有铜的金属。6如权利要求4的突起形成体，其特征是表面层材料是焊料。7如权利要求1的突起形成体，其特征是，还备有形成在电极上且具有开口部的抗蚀膜，在所述开口部内，形成以从所述抗蚀剂膜上面突出状态由金属喷镀厚膜组成的突起。8如权利要求7的突起形成体，其特征是抗蚀膜材料从由耐热性树脂及阻燃性树脂形成的组中选其一。9如权利要求1的突起形成体，其特征是突起由包括可吸收液状物质的空隙的导电性材料组成，至少在...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口和文，三谷力，浅光男，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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