【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电极装置、一种制造该电极装置的方法以及一种与该电极装置接触的方法。随着高集成存储组件的发展，如DRAM或FRAM等，晶胞电容还应保留在选进的小型化技术中，或者，它甚至还应待于改善。为实现该目的，需要使用较薄的介质层和折叠式电容电极(沟槽式晶胞，迭式晶胞)。近来，为代替传统的硅氧化物，采用了新型材料，具体地说，是在存储单元的电容电极之间加入了顺电体和铁电体。譬如，在DRAM或FRAM中，其存储单元的电容器里可装有钛酸锶(BST，(Ba，Sr)TiO3)、锆钛酸铅(PZT，Pb(Zr，Ti)O3)或掺杂镧的锆钛酸铅、钽酸锶铋(SBT，SrBi2Ta2O9)等。由此，在通常情况下，这些材料与现有电极(炉底电极)是有区别的。该工序在高温下进行，所以，对于那些组成普通电容电极的材料，如掺杂的聚硅等，就很容易被氧化，而且其导电性能也会丧失，于是便带来存储单元废品。由于具有良好的氧化稳定性和／或可以形成导电氧化物，4d及5d过渡金属将作为较优选的物质，尤其是铂金属(Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt)和铂本身，还有铼等等，在上述存储单元中，作为电极材料的...
【技术保护点】
电极装置（１０）带有：第一种导电薄膜（６），其材料实际上不受化学干蚀的腐蚀作用，且至少还有第二种导电薄膜（７），在化学干蚀作用下，其材料至少有一个较小的腐蚀率。
【技术特征摘要】
DE 1997-7-3 19728474.41．电极装置(10)带有第一种导电薄膜(6)，其材料实际上不受化学干蚀的腐蚀作用，且至少还有第二种导电薄膜(7)，在化学干蚀作用下，其材料至少有一个较小的腐蚀率。2．根据权利要求1的电极装置(10)，其特征在于，第一种薄膜(6)含有4d或5d过渡金属，它们的导电氮化物或导电氧化物。3．根据权利要求1或2的电极装置(10)，其特征在于，第二种薄膜(7)含有铝、钛、钨，它们的导电硅化物，导电氮化物或导电氧化物等。4．根据权利要求1至3之一的电极装置(10)，其特征在于，第一种薄膜(6)含有钌、铑、钽、锇、铱、铂、金、银或铼。5．根据权利要求1至4之一的电极装置(10)，其特征在于，第二种薄膜(7)含有钛或一种钛的氮化物，尤其是TiNx 0．8＜x＜1．2。6．制作权利要求1至5的电极装置的方法，包括以下步骤准备好电极装置的第一种薄膜，在第一种薄膜的上面准备好电极装置的第二种薄膜，对第二种薄膜进行构造，通过采用构造后的第二种薄膜作为掩膜，对电极装置的第一种薄膜进行干蚀。7．根据权利要求6的方法，其特征在于，对于第二种薄膜的干蚀采用一种等离子腐蚀方法。8．根据权利要求6或7的方法，其特征在于，在对第一种薄膜进行干蚀期间，至少采用一种活性物质，它在第二种薄膜的表面上同第二种...
【专利技术属性】
技术研发人员：V维恩里赫，M恩格尔哈德特，H温德特，W帕姆勒，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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