一种制造半导体的方法技术

一种制造半导体器件的ＢＯＸ结构堆状电容器的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层，在有源区上制作晶体管的栅极、源区和漏区，在场氧化层上预定区域制作第一导电层，并且在栅极和第一导电层上制作第一隔离层；在上述构造上形成第二隔离层；开一窗口使该源区部分裸露，然后淀积第二导电层；并覆盖第三隔离层；淀积第三导电层；将处于源区上方的第三导电层腐蚀；去除第三隔离层，并制作电容器第一电极；依次在上面所述的结构上制备电介质层和第四导电层。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
该专利技术是关于 一种能增加存储器件电容容量的方法。近来，依照半导体制造工艺的发展和存储器件应用范围的拓宽，大容量的存储器已得到开发，特别是动态随机存取存储器(Dynamical Random Access Memory，简写为DRAM)更是得到了积极的创新，它只需一个电容和一个晶体管即可构成一个存储单元，在大规模的集成中十为便利。由于存储单元的结构关系到充填密度(Packing density)的提高，所以三维的电容结构如堆状(stack type)电容和沟状(trench type)电容被设计出，以取代先前的平面型电容单元。在1M和4M的DRAM中，为了获得充足的单元电容量以便存储单元工作，并提高集成密度(integration density)，人们广泛采用的是一种堆状电容构造，然而，在16M的DRAM中，由于电容单元的尺寸减小到具有通常的堆状电容单元构造的4MDRAM的电容单元的尺寸的一半或更小，故而不能获得充足的单元电容量。因此，人们提出了双堆状存储结，翅状结构，圆柱单元和BOX结构等。图1A到图1G描绘了含有一个BOX结构的单元(Stacked Capac本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其特征包括：　　第一，通过在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层来限定一个有源区，　　第二，在该有源区形成晶体管的栅极、源区和漏区从而构成存储单元，在该场氧化层预定部分形成第一导电层；在该栅极和该第一导电层上形成第一隔离层；　　第三，在如上所述的结构上形成第二隔离层；　　第四，开一窗口，使该源区部分暴露，然后在该第二隔离层和暴露衬底的全部表面淀积第二导电层；　　第五，在该第二导电层上覆盖第三隔离层并将第三隔离层形成鞍状图形；　　第六，在上述构造上淀积第三导电层；　　第七，腐蚀位于该源区上方的该第三导电层；　　第八，去除该第三隔离层图形，并形成电容器的第一电极图形；　...

【技术特征摘要】
KR 1990-6-2 90-81641.一种制造半导体器件的方法，其特征包括第一，通过在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层来限定一个有源区，第二，在该有源区形成晶体管的栅极、源区和漏区从而构成存储单元，在该场氧化层预定部分形成第一导电层；在该栅极和该第一导电层上形成第一隔离层；第三，在如上所述的结构上形成第二隔离层；第四，开一窗口，使该源区部分暴露，然后在该第二隔离层和暴露衬底的全部表面淀积第二导电层；第五，在该第二导电层上覆盖第三隔离层并将第三隔离层形成鞍状图形；第六，在上述构造上淀积第三导电层；第七，腐蚀位于该源区上方的该第三导电层；第八，去除该第三隔离层图形，并形成电容器的第一电极图形；第九，在上述结构上依次形成电介质膜和第四导电层。2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特点是第三步所说的第二隔离层由在上述结构上依次形成第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜构...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光壁，郑泰荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]