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一种制造半导体器件的ＢＯＸ结构堆状电容器的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层，在有源区上制作晶体管的栅极、源区和漏区，在场氧化层上预定区域制作第一导电层，并且在栅极和第一导电层上制作第一隔离层；在上述构造上形成第二隔离层；开一窗...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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