【技术实现步骤摘要】
本专利技术与功率电子学领域有关，本专利技术介绍的是生产MOS控制功率半导体组件的方法，此功率半导体组件在共同的衬底上包括多个组件单元，它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区、第二导电类型的上部基区和第一导电类型的发射区组成，此发射区从上面结合到基区(incorporated from aboveinto)，并在每个组件单元都有，控制双极晶体管的MOS沟道结构处在发射极侧，此MOS沟道结构包括第二导电类型的处在发射区上面的源区、第一导电类型的处在源区与基区之间的发射区边缘的沟道区和以绝缘方式处在沟道区上面的栅电极。今天的IGBT型(绝缘栅双极晶体管，Insulated Gate BipolarTransistors)的MOS控制功率半导体组件包括多个相同的组件单元，它们并联连接并一个接一个地容纳在共同的半导体衬底上。双极晶体管容纳在这种功率半导体组件的每个组件单元的衬底2内，这组件单元中的一个以剖视图的形式表示在附图说明图1上，此双极晶体管包括(P+掺杂的)集电极区4，(N掺杂的)基区3和(P+掺杂的)发射区6。在IGBT的发射...
【技术保护点】
一种生产ＭＯＳ控制功率半导体组件（３０，４５）的方法，其特征在于：所述功率半导体组件（３０，４５）在共同的衬底（３１，４６）上包括多个组件单元（５９），它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区（３３，４８）、第二导电类型的上部基区（３２，４７）和第一导电类型的发射区（３７，４９）组成，此发射区从上面嵌入基区（３２，４７），并在每个组件单元（５９）都有，控制双极晶体管的ＭＯＳ沟道结构（３９，４２，４３和５４，５６，５７）处在发射极侧，此ＭＯＳ沟道结构（３９，４２，４３和５４，５６，５７）包括第二导电类型的处在发射区（３７，４９）上面的源区（４３，...
【技术特征摘要】
DE 1996-12-23 1965411311.一种生产MOS控制功率半导体组件(30，45)的方法，其特征在于所述功率半导体组件(30，45)在共同的衬底(31，46)上包括多个组件单元(59)，它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区(33，48)、第二导电类型的上部基区(32，47)和第一导电类型的发射区(37，49)组成，此发射区从上面嵌入基区(32，47)，并在每个组件单元(59)都有，控制双极晶体管的MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)处在发射极侧，此MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)包括第二导电类型的处在发射区(37，49)上面的源区(43，57)、第一导电类型的处在源区(43，57)与基区(32，47)之间的发射区(37，49)边缘的沟道区(42，56)和以绝缘方式处在沟道区(42，56)上面的栅电极(39，54)，其中构成了MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度，而其中MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度的构成是通过借助用于组件生产过程的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。2.权利要求1的方法，其特征在于使用把发射区(37)引入衬底(31)的掩蔽步骤来构成MOS沟道结构(39，42，43)的沟道宽度。3.权利要求2的方法，其特征在于使用了把发射区(37)引入衬底(31)的掩模(34)，此掩模有这样的一些剪切块(36)，它们布置在掩模开口(35)的边缘并且以这样的方式侧向向外伸出，以致所引入的发射区(37)在剪切块(36)区域有侧向向外伸出的凸块(38)；而其中这样来选择凸块(38)的长度，以便...
【专利技术属性】
技术研发人员：U泰伊曼，
申请(专利权)人：亚瑞亚勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]
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