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一种生产ＭＯＳ控制功率半导体组件（３０）的方法。控制双极晶体管的ＭＯＳ沟道结构（３９，４２，４３）处在发射极侧，它包括第二导电类型的处在发射区（３７）上面的源区（４３）、第一导电类型的处在源区（４３）与基区（３２）之间的发射区（３７）边缘的...该专利属于亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司授权不得商用。
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一种生产ＭＯＳ控制功率半导体组件（３０）的方法。控制双极晶体管的ＭＯＳ沟道结构（３９，４２，４３）处在发射极侧，它包括第二导电类型的处在发射区（３７）上面的源区（４３）、第一导电类型的处在源区（４３）与基区（３２）之间的发射区（３７）边缘的...