超高纯度过氧化氢的就地制造制造技术

本发明专利技术涉及一个为使用点就地提供包括Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］的超高纯试剂的就地子系统及其方法。这个子系统包括：（ａ）一个用于接受含水Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］并从此提供Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流的容器；（ｂ）一个阴离子交换堆和一个阳离子交换堆，用于接受从容器流出的Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流，并从此处生成离子沾污水平降低的净化Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流。阳离子交换堆用酸预处理而阴离子交换堆用碳酸氢根预处理；（ｃ）一个过滤器位于阴离子交换堆和阳离子交换堆的下游；以及（ｄ）用于将含水Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］从过滤器输送到使用点的管道。本发明专利技术的系统和方法特别适用于半导体生产，用于为使用点提供超高纯度过氧化氢和含有过氧化氢的试剂，例如晶片清洗／腐蚀工作区。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及各种为使用点提供包括过氧化氢的超高纯度试剂的就地子系统。本专利技术还涉及为使用点就地提供包括过氧化氢的超高纯度试剂的方法。本专利技术特别适用于半导体生产，为半导体制造提供超高纯度材料。a.沾污控制在集成电路(IC)制造中，沾污一般是最为关注的问题。现代集成电路制造的步骤中很大部分是一类或另一类清洗步骤。所使用的这些清洗步骤是为了去除诸如有机沾污、金属沾污、光刻胶(或其中的无机残留物)、刻蚀副产物、自然氧化物等。如1995年，一个新的典型的前工序生产线(IC晶片生产设备)的成本超过十亿美元($1,000,000,000)。用于这些设备的大部分成本是直接用来对微粒控制，清洗和沾污控制的测量。半导体生产中一个重要而又基本的沾污源是化学加工中的杂质。由于在IC生产中所进行的清洗步骤是很频繁的也是很关键的，所以化学清洗引起的沾污是极其不希望的。b.湿法与干法工艺在半导体工艺中，长期以来的技术变化之一就是在干法和湿法工艺之间的改变(并试图改变)。在干法工艺中，只有气态或等离子体状态的反应物与晶片或正被处理的晶片接触。在湿法工艺中，各种液态反应物被用作多种用途，例如二氧化硅、氮化硅和硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个为使用点提供包括Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］的超高纯试剂的就地子系统，包括：（ａ）一个用于接受含水Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］并从此提供Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流的容器；（ｂ）一个阴离子交换堆和一个阳离子交换堆，用于接受从所述容器流出的所述Ｈ↓［２ ］Ｏ↓［２］流，并从此处生成离子沾污水平降低的净化Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流，其中所述阳离子交换堆用酸预处理而所述阴离子交换堆用碳酸氢根预处理；（ｃ）一个过滤器，位于所述阴离子交换堆和所述阳离子交换堆的下游；以及（ｄ）用于将所述含水Ｈ↓ ［２］Ｏ↓［２］从所述过滤器输送到使用点的管道。

【技术特征摘要】
US 1996-12-5 7592141.一个为使用点提供包括H2O2的超高纯试剂的就地子系统，包括(a)一个用于接受含水H2O2并从此提供H2O2流的容器；(b)一个阴离子交换堆和一个阳离子交换堆，用于接受从所述容器流出的所述H2O2流，并从此处生成离子沾污水平降低的净化H2O2流，其中所述阳离子交换堆用酸预处理而所述阴离子交换堆用碳酸氢根预处理；(c)一个过滤器，位于所述阴离子交换堆和所述阳离子交换堆的下游；以及(d)用于将所述含水H2O2从所述过滤器输送到使用点的管道。2.根据权利要求1所述的就地子系统，还包括一个或更多个附加的阴离子交换堆和一个或更多个附加的阳离子交换堆。3.根据权利要求1所述的就地子系统，其中子系统和使用点位于半导体生产厂。4.一个为使用点提供包括H2O2的超高纯试剂的就地子系统，包括(a)一个用于接受含水H2O2并从此提供H2O2流的容器；(b)一个混合阴离子/阳离子混合交换堆，用于接受从所述容器流出的所述H2O2流，并从此处生成离子沾污水平降低的净化H2O2流；(c)一个过滤器，位于所述混合阴离子/阳离子交换堆的下游；以及(d)用于将所述含水H2O2从所述过滤器输送到使用点的管道。5.根据权利要求4所述的就地子系统，还包括一个或更多个阴离子交换堆和一个或更多个阳离子交换堆。6.根据权利要求4所述的就地子系统，其中子系统和使用点位于半导体生产厂。7.一个为使用点提供包括H2O2的超高纯试剂的就地子系统，包括(a)一个用于接受含水H2O2并从此提供H2O2流的容器；(b)一个阴离子交换堆和一个阳离子交换堆，用于接受从所述容器流出的所述H2O2流，并从此处生成离子沾污水平降低的净化H2O2流；(c)一个离子净化系统，使气体试剂前体通过气体/液体接触区以产生超纯气体试剂；(d)产生和混合子系统，用于将所述超纯气体试剂与去离子水以及所述净化H2O2流混合，生成超纯清洗溶液；以及(e)用于将所述超纯清洗溶液输送到使用点的管道。8.根据权利要求7所述的就地子系统，还包括一个或更多个附加的阴离子交换堆和一个或更多个附加的阳离子交换堆。9.根据权利要求7所述的就地子系统，其中子系统和使用点位于半导体器件生产厂。10.根据权利要求7所述的就地子系统，其中产生和混合子系统是分离的。11.根据权利要求7所述的就地子系统，其中产生和混合子系统是在一起的。12.根据权利要求7所述的就地子系统，其中气体试剂是HCl。13.根据权利要求7所述的就地子系统，其中气体试剂是NH3。14.一个为使用点就地提供包括H2O2的超高纯试剂的方法，包括下列步骤(a)从一个容器提供含水H2O2流，这个容器与使用点在同一地方；(b)将所述H2O2流通过一个阴离子交换堆和一个阳离子交换堆，生成离子沾污水平降低的净化H2O2流；其中所述阳离子交换堆用酸预处...

【专利技术属性】
技术研发人员：H莱登，M卡瑞，C狄沃斯，JG霍夫曼，RS克拉克，
申请(专利权)人：斯塔泰克文切斯公司，文切斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]