现场产生用于半导体加工的超高纯度过氧化氢制造技术

在半导体装置制造设施中的一种现场子系统，用于向半导体制造操作提供超高纯度的含Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］试剂，该系统包括： 一个槽，连接成接受Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］小溶液并由其提供Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流； 一个阴离子交换床和一个阳离子交换床，连接到接受来自槽中的Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流，并由其产生离子污染物含量降低的纯化过的Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］流；其中阳离子交换床用酸预处理，阴离子床用碳酸氢根离子预处理； 位于阴离子交换床和阳离子交换床下游的一个过滤器； 一个管道连接系统，它将来自过滤器的Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］水溶液送往半导体装置制造设施中的使用地点而不与任何未受控制的环境接触。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及为半导体制造供应超高纯度过氧化氢的系统和方法。集成电路制造中的污染控制在集成电路制造中，污染通常是头等重要的问题。在现代集成电路制造中，很大一部分步骤是这样或那样的净化步骤；这些净化步骤可能需要除掉有机污染物、金属污染物、光刻胶(或其无机残余物)、蚀刻的副产物、天然氧化物等。据1995年的资料，新前端(集成电路晶片制造设施)的成本一般超过十亿美金($1,000,000,000)，这一花费的很大一部分是用于颗粒控制、净化和污染控制等措施。一个重要的污染源是生产用化学物中的杂质。因为净化操作非常频繁和关键，所以由于净化的化学过程造成的污染是很不希望发生的。因为在半导体加工中通常使用很多种腐蚀性和/或毒性化学物，所以试剂供应处一般与前端工人所在处分开。超高纯气体和液体的管道输送结构和维修在半导体工业中是众所周知的，因此大多数气体和液体可以由同一建筑物的任何部位(甚至在同一位置)输送给晶片制造段。本申请公开了在半导体制造设施现场制备超纯化学物的系统和方法，从而可以将化学物直接用管道输送到使用地点。所公开的系统是很紧凑的装置，可以和前端位于同一建筑物中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：J·G·霍夫曼，R·S·克拉克，
申请(专利权)人：斯塔泰克文切斯公司，
类型：发明
国别省市：