【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件，特别是太阳能电池，该元件至少具有一种包括单晶或多晶态的结构的半导体基体材料，该半导体基体材料至少部分地由具有化学成分FeS2的二硫化铁构成，并为了达到一定程度的纯度而被清洗。许多通用的半导体元件或半导体光电元件已得到了公认，以太阳或光的辐射能的内光电效应为基础，假定光电效率大致为15％，则半导体光电元件就可商品化。将具有p和n导电区的薄型硅或砷化镓铁晶体用作半导体材料是占主导地位的。薄层太阳能电池也得到了公认，在该情况下通过金属化等方法将半导体层置于一个载体上以形成在微米范围内的厚度(1至50μm)。诸如硫化镉、碲化镉、硫化铜等的材料被用作该半导体层。这些半导体元件只能得到5-8％的效率。但是，它们具有有效的功率-重量比并比生产硅铁晶体实际上更成本有效。按照专利说明书EP-AO 173 642，一种通用的太阳能电池是带有化学式为FeS2+/-X的光敏二硫化铁层，该太阳能电池有＜1020/cm3的不希望有的杂质的浓度，并有锰(Mn)或砷(As)和/或钴(Co)或氯(Cl)的掺杂剂。看起来，这种成分的的太阳能电池在实践上不能得到所需要的...
【技术保护点】
一种半导体元件，特别是太阳能电池，至少具有一种由单晶或多晶态结构构成的半导体基体材料（２０，４０），该半导体基体材料至少部分地由具有化学成分ＦｅＳ↓［２］的二硫化铁构成，并为了达到一定程度的纯度而被清洗，其特征在于： 将该至少部分地具有化学成分为ＦｅＳ↓［２］的二硫化铁的半导体基体材料（２０，４０）与硼（５２）和磷（５３）组合在一起或被硼（５２）和／或磷（５３）掺杂。
【技术特征摘要】
EP 1998-4-29 98810382.61.一种半导体元件，特别是太阳能电池，至少具有一种由单晶或多晶态结构构成的半导体基体材料(20，40)，该半导体基体材料至少部分地由具有化学成分FeS2的二硫化铁构成，并为了达到一定程度的纯度而被清洗，其特征在于将该至少部分地具有化学成分为FeS2的二硫化铁的半导体基体材料(20，40)与硼(52)和磷(53)组合在一起或被硼(52)和/或磷(53)掺杂。2.如权利要求1中所述的半导体元件，其特征在于该半导体基体材料FeS2与硼和磷组合在一起或被硼(B)和/或磷(P)掺杂。3.如权利要求1中所述的半导体元件，其特征在于半导体基体材料(40)至少包括一层二硫化铁(40)、至少一层硼(52)和至少一层磷(53)。4.如权利要求1中所述的半导体元件，其特征在于多层的半导体基体材料具有至少一个二硫化铁(31)的p或n层和至少一个不同的半导体(32)的p或n层。5.如权利要求1至4的任一项中所述的半导体元件，其特征在于结合到该基体材料(20，40)中的每种元素的浓度具有在10-6与20之间的质量百分比。6.如权利要求1至5的任一项中所述的半导体元件，其特征在于将半导体元件构成为单层或多层太阳能电池、薄膜太阳能电池、MIS太阳能电池、光化学电池等。7.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体元件，其特征在于该二硫化铁具有在90至300K下为4.5×10-6K-1、在300至500K-1下为8.4×10-6K-1的热膨胀系数。8.如权利要求1至7的任一项中所述的半导体元件，其特征在于化学成分为FeS2的二硫化铁具有12个原子的原胞和约5.4185埃的晶胞长度，由此，二硫化铁的晶体常态的典型的基本形状为六面体、立方形、五面体、十二面体或八面体。9.如权利要求1至8的任...
【专利技术属性】
技术研发人员：纳恩吉奥拉维克伽，
申请(专利权)人：纳恩吉奥拉维克伽，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]
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