【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种覆晶式晶片级集成电路封装技术(Flip-Chip Chip-Scale Package，FCCSP)，特别是有关于一种封装基板上的覆晶焊垫结构，其上可用以焊结一焊球阵列，用以将一半导体晶片以覆晶方式固接及电性连接至基板。覆晶式晶片级集成电路封装技术为一种先进的集成电路封装技术，其可让所形成的封装结构体的整体尺寸极为接近晶片尺寸，因此可达到轻薄短小的封装需求。此种封装技术是将一半导体晶片以倒置方式安置于基板上，并利用焊球来将半导体晶片固接及电性连接至基板。附图说明图1A即显示一现有的覆晶型集成电路封装结构的剖面示意图。如图所示，此覆晶型集成电路封装结构包括一基板(substrate)10，其上表面设置有多个焊球垫(solder-bump pads)20。如图1B所示，这些焊球垫20是设置于基板10的周围边缘处。于此覆晶型集成电路封装结构中，是将一半导体晶片30以一倒置方式安置于基板10上(亦即半导体晶片30的电路面是面对基板10的上表面)，并利用焊结于半导体晶片30上的焊球(solder bumps)40将半导体晶片30同时固接及电性连接至基...
【技术保护点】
一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于包含： 一焊球罩幕，其具有一开口；该罩幕开口具有一对相对的平行直线形边缘，包括一第一直线形边缘及一第二直线形边缘；且该罩幕开口的位置会因制程上的对位误差而于一预求得的最大可能位置误差范围内变动； 以及 一导电层，其表面区域划分为一焊球垫、一第一导电迹线、及一第二导电迹线；其中该焊球垫位于该焊球罩幕开口之中，而该第一及第二导电迹线则被该焊球罩幕所盖住； 其中， 该焊球垫的表面区域划分为： 一露出的第一平行四边形区域，其一侧边重叠至至该罩幕开口的第一直线形边缘，且其区域范围至少等于或大于该焊球罩幕的...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于包含一焊球罩幕，其具有一开口；该罩幕开口具有一对相对的平行直线形边缘，包括一第一直线形边缘及一第二直线形边缘；且该罩幕开口的位置会因制程上的对位误差而于一预求得的最大可能位置误差范围内变动；以及一导电层，其表面区域划分为一焊球垫、一第一导电迹线、及一第二导电迹线；其中该焊球垫位于该焊球罩幕开口之中，而该第一及第二导电迹线则被该焊球罩幕所盖住；其中，该焊球垫的表面区域划分为一露出的第一平行四边形区域，其一侧边重叠至至该罩幕开口的第一直线形边缘，且其区域范围至少等于或大于该焊球罩幕的最大可能位置误差范围；一露出的第二平行四边形区域，其一侧边重叠至该罩幕开口的第二直线形边缘，且其区域范围至少等于或大于该焊球罩幕的最大可能位置误差范围；以及一露出的中段区域，其位于该露出的第一平行四边形区域与该露出的第二平行四边形区域之间；且其中，该第一及第二导电迹线的表面区域划分为一隐盖的第一平行四边形区域，其一侧边重叠至该罩幕开口的第一直线形边缘，且邻接至该露出的第一平行四边形区域，且其区域范围至少等于或大于该焊球罩幕的最大可能位置误差范围；以及一隐盖的第二平行四边形区域，其一侧边重叠至该罩幕开口的第二直线形边缘，且邻接至该露出的第二平行四边形区域，且其区域范围至少等于或大于该焊球罩幕的最大可能位置误差范围。2.如权利要求1所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该露出的第一和第二平行四边形区域、以及该隐盖的第一和第二平行四边形区域均为一长方形区域。3.如权利要求1所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该焊球垫的表面区域为正方形。4.如权利要求1所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该焊球垫的中段区域是形成一向内窄化的表面区域。5.如权利要求4所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该向内窄化的中段区域为一圆弧状内凹的表面区域。6.如权利要求4所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该向内窄化的中段区域为一长方形状内凹的表面区域。7.如权利要求4所述的一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于该向内窄化的中段区域为一三角形状内凹的表面区域。8.一种集成电路封装基板上的覆晶焊垫，其特征在于包含一焊球罩幕，其具有一开口；该罩幕开口具有一对相对的平行直线形边缘，包括一第一直线形边缘及一第二直线形边缘；且该罩幕开口的位置会因制程上的对位误差而于一预求得的最大可能位置误差范围内变动；以及一导电层，其表面区域划分为一正方形焊球垫、一第一导电迹线、及一第二导电迹线；其中该正方形焊球垫位于该焊球罩幕的开口之中，而该第一及第二导电迹线...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡瀛洲，邱世冠，毛国亮，索肇东，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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