在硅基片上形成通孔或凹陷的方法技术

通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的背景1.本专利技术的领域本专利技术涉及一种在硅基片上形成通孔的方法。更具体来说，本专利技术涉及一种用于在硅基片上形成孔的方法，该方法使用激光束照射在其一面上形成有一种图形的硅基片，并形成通孔或凹陷。2.相关技术的说明近年来电子器件的性能变得更高而它们的尺寸已变得更小。伴随这一趋势，多个半导体芯片排布在一个外壳中的所谓“多芯片封装(MCP)”作为半导体器件已经被制造，以便改进器件的性能并降低器件的尺寸。图7中所示的三维MCP，其中多个半导体芯片在厚度的方向上叠置，特别具有与多个半导体芯片排布在一个平面方向的二维MCP相比对电子器件小型化更大的贡献，并因而受到积极的研究(例如参见日本未审查专利公开文献(Kokai)No.2001-94039 and 10-163411)。在这种三维MCP中，这样叠置的半导体芯片必须彼此电连接。为此，称为“通路(via)”102的部件用来电连接如图7中所示彼此叠置的半导体芯片100，从集成效率和安装效率方面来说，该部件比使用导线彼此电连接半导体芯片100是更有利的。为了如图7所示通过通路102电和相互连接半导体芯片100，必须在半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
通过向硅基片照射激光束而在其一侧上有形成的导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤： 在硅基片的一侧形成用于防护导电图形的防护膜， 在包括防护膜顶部的硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属镀膜， 向由防护膜及金属镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷， 剥离金属镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边的金属镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，以及 使用不损坏防护膜的清除溶液，清除沉积在通孔或凹陷内壁上的沉积物，这些沉积物是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。

【技术特征摘要】
JP 2001-10-15 316762/20011.通过向硅基片照射激光束而在其一侧上有形成的导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤在硅基片的一侧形成用于防护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部的硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属镀膜，向由防护膜及金属镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边的金属镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，以及使用不损坏防护膜的清除溶液，清除沉积在通孔或凹陷内壁上的沉积物，这些沉积物是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。2.按权利要求1的方法，其中防护膜由二氧化硅，氮化硅，金刚石状碳，或树脂形成。3.按权利要求1的方法，其中其中防护膜由二氧化硅形成。4.按权利要求1的方法，其中金属镀膜由镍，铜或铝形成。5.按权利要求1的方法，其中金属镀膜由镍形成。6.按权利要求1的方法，其中通孔或凹陷内壁上的沉积物由KOH，NaOH或HF溶液清除。7.按权利要求1的方法，其中通孔或凹陷内壁上的沉积物由...

【专利技术属性】
技术研发人员：真篠直宽，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]