半导体显示设备及其设计方法制造方法和订单接收系统技术方案

无论控制器是什么规格，事先在一个衬底上形成用于控制器的多个ＴＦＴ。然后，按照控制器的设计，适当地通过在一个与形成这些ＴＦＴ的层不同的层上形成的布线实现用作每个ＴＦＴ的三个接线端的源极、漏极和栅极之间的连接，从而形成规格满足要求的控制器。此时，按照控制器的规格不必使用设置在衬底上的所有ＴＦＴ，有些ＴＦＴ可以保持不用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及半导体显示设备的设计方法和制造方法、采用所述制造方法制造的半导体显示设备和采用所述制造方法制造的半导体显示设备的订单接收系统(order receiving system)。
技术介绍
最近几年来，在一个玻璃衬底上形成TFT的技术有着迅速的进展，开发了这种技术在有源矩阵型半导体器件中的应用。特别是，采用多晶体硅薄膜的TFT(聚-Si TFT)具有比传统的采用非晶态薄膜的TFT更高的场效应移动性(field effect mobility)，而且能快速操作。因此，采用聚-Si TFT，可以实现将驱动电路和控制器与像素部分一起集成在玻璃衬底上的基于玻璃的系统。迄今为止半导体显示设备的驱动电路都是在一个硅衬底上形成的，通过FPC之类连接到显示设备的像素部分上。然而，如果IC通过FPC连接到形成像素部分的玻璃衬底上，就会出现连接部分抗机械冲击较弱的问题。这个缺点随着FPC布线的增多越来越严重。为了避免这些问题，通过将驱动电路与像素部分一起配置在玻璃衬底上可以减少FPC布线，从而可以减小显示设备。例如，在作为半导体器件之一的有源矩阵型液晶显示器的情况下，它通常具有依次选择像素部分内多个像素中的一个或几个像素的扫描线驱动电路和将具有图像信息的信号(视频信号)输入一个所选的像素的信号线驱动电路。在玻璃衬底上与像素部分一起形成所述驱动电路可以提高液晶显示器的抗机械冲击的性能，而且可以减小液晶显示器的尺寸。此外，最近几年中，也试验了在玻璃衬底上象驱动电路那样地形成迄今在硅衬底上形成的控制器。如果可以在同一个玻璃衬底上与像素部分一起形成控制器和驱动电路，那末半导体器件的尺寸可以大大减小，而且抗机械冲击性能可以大大提高。然而，控制器具有产生确定驱动电路和像素部分操作的定时的信号的功能，以及处理来自外部视频信号源的恒定标准视频信号使之适应驱动电路和像素部分的规格和半导体显示设备的驱动方法的功能。因此，在每种情况下都应该按照半导体设备的标准、规格和驱动方法改变控制器的设计。例如，如果需要改变控制器的设计以制造不同的样机或者为每个客户改变控制器的设计，在控制器与驱动电路和像素部分一起在玻璃衬底上形成的情况下，每次都要改变所有的掩模，包括像素部分和驱动电路的掩模。因此，很难降低这种半导体显示设备的生产成本。特别是在最近几年中，有着大量的小规模生产半导体设备的倾向，因为这种设备用于各种电子设备的显示部分。因此，可以预期，如果控制器与驱动电路和像素部分一起在玻璃衬底上形成的话就会出现由于上述的控制器设计改变而导致成本增加的问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种为具体应用配备的半导体设备的可以降低改变控制器设计的成本的设计方法，以及提供一种采用所述设计方法形成的半导体设备的订单接收系统。本专利技术的专利技术人研究了实现使用如在ASIC(专用集成电路)中的TFT的控制器的设计，从而得出了本专利技术的设计方法。按照本专利技术，无论控制器是什么规格，事先在一个衬底上形成用于控制器的多个TFT。然后，按照控制器的设计，适当地通过在一个与形成这些TFT的层不同的层上形成的布线实现用作每个TFT的三个接线端的源极、漏极和栅极之间的连接。此时，根据控制器的规格，不必使用设置在衬底上的所有TFT，有些TFT可以保持不用。此外，为了可以自由地设计控制器，要求设置许多大小和极性不同的TFT。由于增加了各种大小和极性的TFT，可以实现各种设计，因此有可能制造与不同规格的半导体显示设备相应的控制器。但是，在过分增加TFT时，控制器没有用到的TFT也增加。结果，也很难减小半导体显示设备。因此，在衬底上为控制器形成的TET的数量及其大小和极性可以由设计人员折衷考虑，适当设定。而且，在一些上述的TFT中，还可以事先将一个活动层(activelayer)与一个栅极相互连接成一个单元(基本单元)，从而形成多个基本单元。然后，通过布线实现基本单元内的各个TFT的源极、漏极和栅极之间的连接，使得各种逻辑元件可以用基本单元形成，从而控制器可以用这些逻辑元件的组合设计。除了上述结构，可以事先在衬底上形成通过连接活动层和一些TFT的栅极形成的各种逻辑元件。然后，通过在一个与形成逻辑元件的TFT的不同的层上形成的布线适当地连接各个逻辑元件的接线端，从而可以形成规格满足要求的控制器。按照上述结构，在控制器的规格改变时，只要改变连接事先形成的这些TFT或逻辑元件的布线的设计就可以了，因此可以改变最少到只有两个掩模一个布线图案掩模和一个布线接触孔掩模。因此，可以减小与控制器设计改变关联的成本，制造规格不同的控制器。此外，在这种半导体显示设备中，在像素部分和驱动电路的规格确定而与像素部分和驱动电路的规格相应的控制器的规格还没有确定的情况下，可以预先制造除布线之外的一些与TFT或电路元件相应的部分。此后，按照客户定购的控制器的规格，设计制造连接各TFT或电路元件的布线，从而可以制造出规格满足要求的控制器。因此，在控制器的规格没有确定的阶段，就可以开始制造半导体显示设备，因此可以缩短从接收到客户订单开始到将产品交付给客户的TAT(周转周期)。因此，可以改善对客户的服务。注意，本专利技术并不局限于控制器的设计方法，本专利技术也可用于包括信号线驱动电路和扫描线驱动电路的驱动电路的设计。附图简要说明在本说明的附图中附图说明图1A至1C为一个基本单元和D触发器的电路图；图2A和2B为一个基本单元和D触发器的俯视图；图3为本专利技术的订单接收系统的流程图；图4A和4B为用图1所示的基本单元形成的NAND的电路图；图5为用图1所示的基本单元形成的NAND的俯视图；图6A和6B为用图1所示的基本单元形成的NOR的电路图；图7为用图1所示的基本单元形成的NOR的俯视图；图8为本专利技术的发光设备的方框图； 图9A和9B为本专利技术的发光设备的驱动电路方框图；图10为本专利技术的发光设备的电路方框图；图11A和11B为用图1所示的基本单元形成的D触发器的俯视图；图12为本专利技术的订单接收系统的流程图；图13A至13C为本专利技术的发光设备的制造方法的示意图；图14A至14C为本专利技术的发光设备的制造方法的示意图；图15A和15B为本专利技术的发光设备的制造方法的示意图；图16为一个供本专利技术的控制器使用的TFT的剖视图；图17A至17C为一个供本专利技术的控制器使用的TFT的俯视图和剖视图；图18为本专利技术的发光设备的剖视图；图19A至19C为本专利技术的发光设备的外观图和剖视图；图20A至20H为一些采用本专利技术的半导体设备的电子设备的示意图；以及图21A和21B为一个供本专利技术的控制器使用的TFT的剖视图。优选实施例的详细说明下面将说明本专利技术的半导体显示设备的设计方法。图1A示出了在通过连接一些TFT内的一个活动层和一个栅极形成的基本单元的例子。图1A所示的基本单元包括三个p沟道TFT11、12、13和三个n沟道TFT14、15、16。三个p沟道TFT11、12、13串联连接。也就是说，p沟道TFT12的源极和漏极中的一个与p沟道TFT11的源极/漏极连接，而另一个与p沟道TFT13的源/漏极连接。注意，在本说明书中，所谓“连接”都是指电连接，除非另有说明。同样，三个n沟道TFT14、15、16也串联连接。也就是说，n沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤：使事先形成的多个ＴＦＴ中的一些ＴＦＴ的源极、漏极或栅极通过布线相互连接，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。

【技术特征摘要】
JP 2001-10-11 313931/011.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤使事先形成的多个TFT中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。2.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元；使每个基本单元中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。3.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个TFT的逻辑元件；以及使这些逻辑元件中的一些逻辑元件的接线端通过布线连接，形成控制器。4.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤蚀刻一层覆盖事先形成的多个TFT的隔层绝缘薄膜，暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一；形成一层导电薄膜，覆盖隔层绝缘薄膜；蚀刻导电薄膜，形成使所述一些TFT中的一些源极、漏极和栅极相互连接的布线；通过形成布线，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。5.一种设计包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤事先形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元；蚀刻一层覆盖这些基本单元的隔层绝缘薄膜，暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一；形成一层导电薄膜，覆盖隔层绝缘薄膜；蚀刻导电薄膜，形成使所述一些TFT中的一些源极、漏极和栅极相互连接的布线；通过形成布线，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。6.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤形成多个TFT；使这些TFT中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。7.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤形成多个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元；使每个基本单元中的一些TFT的源极、漏极或栅极通过布线相互连接，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。8.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤形成多个包括多个TFT的逻辑元件；以及使这些逻辑元件中的一些逻辑元件的接线端通过布线连接，形成控制器。9.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤形成多个TFT；蚀刻一层覆盖这些TFT的隔层绝缘薄膜，暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一；形成一层导电薄膜，覆盖隔层绝缘薄膜；蚀刻导电薄膜，形成使所述一些TFT中的这些源极、漏极或者栅极相互连接的布线；通过形成布线，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。10.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤形成一个包括多个有些源极、漏极和栅极相互连接的TFT的基本单元；蚀刻一层覆盖这个基本单元的隔层绝缘薄膜，暴露这些TFT中的一些TFT的源极、漏极和栅极之一；形成一层导电薄膜，覆盖隔层绝缘薄膜；蚀刻导电薄膜，形成使所述一些TFT中的这些源极、漏极或栅极相互连接的布线；通过形成布线，形成多个逻辑元件；以及用这些逻辑元件形成控制器。11.一种制造包括一个控制器的半导体显示设备的方法，所述方法包括下列步骤；在一个绝缘表面上形成多个布线；...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，秋叶麻衣，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]