半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置。把化合物半导体芯片固定在冲裁框架的岛上、树脂密封的封装结构有封装尺寸的小型化不进展的问题。反向控制型的情况下，形成芯片尺寸变大、重新作图形成本也会增大的原因。本发明专利技术把两个图形在芯片下延伸、芯片固定在图形上，控制端子调换连接处。这样使用同一芯片同一图形、仅以焊接位置就可调换一般图形和反向控制型的图形，所以对用户的要求可迅速并灵活地应对，还可大幅度降低成本。由于是ＣＳＰ，所以可大大有助于封装的小型化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及可使用同一图形的芯片及导电图形通过线焊接的固定位置而容易地变更切换电路装置中控制端子的引线端子的半导体装置。
技术介绍
手机等移动通讯器材中多使用GHz带的微波，在天线的切换电路和收发的切换电路等中多使用用于将这些高频信号切换的切换元件(例如特开平9-181642号)。作为该元件由于是处理高频，所以多使用采用砷化镓(GaAs)的场效应晶体管(以下称FET)，随之将所述切换电路自身集成化的单片微波集成电路(MMIC)的开发在进展中。现在作为半导体装置的封装一般是在引线和同一材料的岛上进行芯片焊接、进行树脂密封的结构。下面对该半导体装置以化合物半导体GaAs的切换电路为例进行说明。图8是表示现有化合物半导体切换电路装置的电路图。第一FET1和第二FET2的源极电极(或漏极电极)连接在共同输入端子IN上，FET1及FET2的栅极电极分别通过电阻R1、R2连接在第一和第二控制端子Ct1-1、Ct1-2上，且FET1及FET2的漏极电极(或源极电极)连接在第一和第二输出端子OUT1、OUT2上。施加在第一和第二控制端子Ct1-1、Ct1-2上的控制信号是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：绝缘性支承基片；半导体芯片，表面上有多个电极座；导电图形，设在所述基片上、与所述多个电极座一一对应；连接装置，连接所述多个电极座与所述导电图形，其特征在于，所述导电图形中至少两个导电图形向与该导电图形对应的至少两个所述电极座延伸接近，把所述至少两个导电图形与所述至少两个电极座用所述连接装置连接时，通过选择某一导电图形来调换与所述至少两个电极座对应的连接端子的位置。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-15 350553/011.一种半导体装置，包括绝缘性支承基片；半导体芯片，表面上有多个电极座；导电图形，设在所述基片上、与所述多个电极座一一对应；连接装置，连接所述多个电极座与所述导电图形，其特征在于，所述导电图形中至少两个导电图形向与该导电图形对应的至少两个所述电极座延伸接近，把所述至少两个导电图形与所述至少两个电极座用所述连接装置连接时，通过选择某一导电图形来调换与所述至少两个电极座对应的连接端子的位置。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片是由背面为半绝缘性的化合物半导体基片构成。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片用绝缘性树脂固定在至少两个所述导电图形上，所述至少两个导电图形其两端分别从所述芯片边缘露出。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，通过调换与所述至少两个电极座连接的连接装置的位置，可把所述至少两个电极座的排列顺序和对应的所述连接端子的排列顺序正反配置。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片是切换电路装置，所述切换电路装置的控制端子连接在所述至少两个导电图形上。6.一种半导体装置，包括绝缘基片；化合物半导体芯片，固定在该绝缘基片表面上，其表面有多个电极座；导电图形，设在所述绝缘基片表面上，与所述多个电极座一一对应；连接装置，连接所述多个电极座与所述导电图形，通孔，与所述导电图形对应、贯通所述绝缘基片；外部连接电极，与该通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野哲郎，榊原干人，猪爪秀行，境春彦，木村茂夫，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]