电源电路装置制造方法及图纸

现有技术的功率ＭＯＳＦＥＴ是单块集成电路装置和复合元件等的电源电路装置，从封装引出的引脚是等间隔的５个管脚，不能充分保证成为高电位的第三管脚与相邻的其它管脚沿表面距离，不很安全。本发明专利技术使第三管脚与相邻的其它管脚的距离比其它管脚彼此的距离宽，而且，使第三管脚位于上段、相邻的其它管脚位于下段、它们以外的管脚位于中段而进行成形。因此由于能充分确保高电位的第三管脚和相邻的其它管脚的沿表面距离，成为非常安全的结构。而且由于做成整体模制封装，顶部不外露，操作也很容易。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源电路装置，特别涉及使用从封装主体导入的对导线形状进行了改良的IC封装的电源电路装置。
技术介绍
众所周知，现在采用IC芯片和导线(引脚)用引线接合法等连接，用树脂构成的封装主体为外装的IC封装。图2表示对现有的IC封装有5根引脚的情况，图2(A)是俯视图，图2(B)是图2(A)的B-B剖面图，图2(C)是从箭头方向看图2(B)的侧视图。包含功率MOSFET11的单块集成电路和复合元件等，为了在功率MOSFET11上安装IC12，一般使用5根管脚间隔(d3)相等的引脚。根据图2(A)，该封装主体13的一个侧壁上设置5根引脚14。此时，中心的第三管脚14c与MOSFET的漏极端子、第五管脚14e与源极端子相连，第一管脚14a、第二管脚14b和第四管脚14d连接在IC的控制端子上。由于通常MOSFET11的漏极端子是高电位，源极端子GND接地，为了使这两个端子形成非常大的电位差，使用第三管脚14c、第五管脚14e以使引脚14不邻接。在图2(B)中表示安装该封装时的成形。如图所示，第一管脚14a、第三管脚14c和第五管脚14e向上方弯折，得到了相邻的第二管脚14b和第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源电路装置，其包括ＭＯＳＦＥＴ、密封该ＭＯＳＦＥＴ的封装和从该封装主体的一个侧壁引出的多个引脚，并将所述ＭＯＳＦＥＴ的漏极端子连接在该多个引脚中中央的引脚上，其特征在于：使成为高电位的所述中央的引脚和相邻的其它引脚的间隔作得比所述 其它引脚彼此的间隔大，设置为所要求的沿表面距离。

【技术特征摘要】
JP 2001-5-18 149636/011.一种电源电路装置，其包括MOSFET、密封该MOSFET的封装和从该封装主体的一个侧壁引出的多个引脚，并将所述MOSFET的漏极端子连接在该多个引脚中中央的引脚上，其特征在于使成为高电位的所述中央的引脚和相邻的其它引脚的间隔作得比所述其它引脚彼此的间隔大，设置为所要求的沿表面距离。2.如权利要求1所述的电源电路装置，其特征在于所述封装是整体模制结构。3.如权利要求1所述的电源电路装置，其特征在于IC安装在所述MOSFET上。4.一种电源电路装置，其包括MOSFET、密封该MOSFET的封装和从该封装主体的一个侧壁引出的多个引脚，并将所述MOSFET的漏极端子连接在该多个引脚中中央的引脚上，其特征在于使成为高电位的所述中央的引脚和相邻的其它引脚的间隔比所述其它引脚彼此的间隔大，使所述多个引脚中成为最低电位的引脚位于下段，所述中央的引脚位于上段，其它的引脚位于上段和下段之间的中段而进行弯折，在成为所述高电位的中央引脚和成为所述低电位的引脚之间设置为所要求的沿表...

【专利技术属性】
技术研发人员：土田满穗，池田宪史，西川円，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]