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现有技术的功率ＭＯＳＦＥＴ是单块集成电路装置和复合元件等的电源电路装置，从封装引出的引脚是等间隔的５个管脚，不能充分保证成为高电位的第三管脚与相邻的其它管脚沿表面距离，不很安全。本发明使第三管脚与相邻的其它管脚的距离比其它管脚彼此的距离宽，...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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