【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，更具体地涉及允许增加该装置的额定电压的倒装晶片类的一半导体装置。
技术介绍
装置小型化已导致开发晶片级或接近晶片级半导体装置。这样一种装置包括一容器型连接件，该连接件在它的内部接受一半导体小硅片和通过例如焊接或导电的环氧树脂的一层导电材料连接到小硅片的一电极。容器型连接件包括围绕小硅片的一壁部。该壁与小硅片和它的电极的周边封闭地分开。当使用熔解的焊接剂将这一装置焊接到一板上时，剩余的焊剂沉积在焊接处周围。当为这目的使用不是那些标注为“不清洁”产品的焊剂时，需要从该装置下面清除这些剩余物，以防止该装置形成腐蚀或断电。附图说明图1A-1B和2A-2B示出了已知半导体装置的例子，其中一MOSFET小硅片10容装在一半导体金属容器11内，小硅片具有在它顶面的一漏极9和在它的底表面的源极14和门极(未示出)。从而，如通过焊接或通过一导电粘结剂将漏极9固定到容器11的内表面。容器11的边缘12与小硅片10的周边分开。可选择地，在边缘12和容器11之间可以设置一绝缘环13。源极14的底表面可以与边缘12的凸缘15的底面是共平面的或稍许不大齐平。当该组...
【技术保护点】
一半导体装置，它包括：一半导体小硅片，它具有在其一第一主要表面上的一第一主电极，在与所述第一主要表面相对的一第二主要表面上的一第二主电极，以及设置在所述第二主要表面上的和与所述第二主电极电绝缘的一控制电极；以及一金属容器，所 述金属容器包括：电连接于所述第一主电极的一腹板部分，所述腹板部分包括设置在所述小硅片周围的一框架，以及从所述腹板部分的边缘延伸一周壁，所述周壁与所述小硅片分开。
【技术特征摘要】
US 2001-6-18 60/299,048;US 2002-6-12 10/170,8541.一半导体装置，它包括一半导体小硅片，它具有在其一第一主要表面上的一第一主电极，在与所述第一主要表面相对的一第二主要表面上的一第二主电极，以及设置在所述第二主要表面上的和与所述第二主电极电绝缘的一控制电极；以及一金属容器，所述金属容器包括电连接于所述第一主电极的一腹板部分，所述腹板部分包括设置在所述小硅片周围的一框架，以及从所述腹板部分的边缘延伸一周壁，所述周壁与所述小硅片分开。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述周壁包括多个基部，所述诸基部与所述第二主电极是共平面的。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述诸基部背离...
【专利技术属性】
技术研发人员：M斯塔恩丁，
申请(专利权)人：国际整流器有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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