槽沟MOSFET技术在直流-直流变换器中的应用制造技术

槽沟型电源半导体装置，包括有一个凹槽端接结构（１５）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有关申请的交叉参照本申请是2003年9月提交的美国专利申请第10/674,444号，题名为“半导体装置加工”的部分继续，该申请要求于2002年9月30日提交的美国临时申请第60/415,302号和2003年1月29日提交的美国临时申请第60/444,064号的优先权。本申请还基于2003年1月29日提交的美国临时申请第60/444,064号，专利技术名称为“槽沟MOSFET技术在直流-直流变换器中的应用”，特此要求优先权。
技术介绍
DC-DC(直流-直流)变换器主要用于诸如手提电脑、移动电话、个人数字助理的电池操作装置中，用来调节电池提供给装置的电力。用于移动装置中的电池寿命取决于电源线路的效率，因此，日益增长的、要求提供更大电能和更长使用时间的电池需求已成为设计者提高DC-DC变换器效率的一个重要因数。如果变换器中半导体开关装置的某些特征能得到改善，DC-DC变换器的效率是可以改进的。特别是当电源金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)用于变换器时，降低开机电阻和栅电荷以及增加MOSFET的电流可容性将对提高装置的效率发挥重要的作用。一种改善电源MOSFET主要特性的方法，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流－直流变换器，包括：一个同步半导体装置；和一个控制半导体装置；其中，至少一种所述的半导体装置包括：一个具有主要表面的半导体管；一个在所述的半导体管内生成的激活区；和一个端接结构，所述的 端接结构包括：一个在所述的半导体管内生成的端接槽沟，和一个在所述的端接槽沟中以及所述的主要表面下方生成的场氧化层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林马，亚当阿玛丽，悉达多凯耶沃特，阿什塔迈克丹尼，唐纳德何，娜瑞雪坦帕，瑞图索德黑，凯丽斯伯林，丹尼尔金泽，
申请(专利权)人：国际整流器有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]