【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种制作半导体元件的方法,且特别是有关于一种。低介电常数材料包括像是HSQ(氢化硅倍半氧化物)、FSG(掺氟的氧化硅)以及CORAL(掺碳的氧化硅)的无机材料,以及像是flare(聚芳香烯醚)、SILK(芳香族碳氢化合物)以及二甲苯塑料等有机材料。在一种传统用来形成镶嵌开口的工艺是先形成介层洞,如附图说明图1所示,此方法会在预先提供的基底100之间的内连线(未显示)上形成一层盖氮化物层,之后依序在盖氮化物层上形成第一低介电常数介电层104、阻挡层106、第二低介电常数介电层108、化学机械研磨阻挡层110、以及底部抗反射涂布(BARC)层(未显示),然后在底部抗反射涂布层上形成一层定义过的第一光阻层用来定义介层洞;用第一光阻层当作罩幕,而盖氮化物层作为一层蚀刻阻挡层,进行第一道非等向性蚀刻工艺,穿过这些结构层而形成介层洞开口。在移除第一光阻层以后,进行一道填满间隙的步骤,用聚合物材料层填满介层洞,借以保护盖氮化物层;在聚合物材料层上形成一层定义过的第二光阻层以后,进行第二到非等向性蚀刻工艺,以阻挡层作为蚀刻阻挡层,定义出一沟渠,图1即为用上述工艺制作的一种公知镶嵌开口结构。但是,如图1所示,覆盖在介层洞开口的聚合物材料层会在开口120上端周围形成一个栅栏状的外观,这是因为聚合物材料层阻碍了蚀刻,结果会造成第二低介电常数介电层108的不完全移除。此外,当第二光阻层接着被像是氮/氧的等离子抛磨工艺或是氮/氢的等离子工艺之类的光阻移除工艺剥除时,使用的光阻移除工艺通常会损害到第二介电层108的侧壁107,导致低介电常数材料层的介电常数有变 ...
【技术保护点】
一种在低介电常数材料层中形成开口的方法,其特征是,该方法包括下列步骤: 提供一基底,含有一金属导线; 依序在具有该基底上形成一盖层、一第一介电层、一第一阻挡层、一第二介电层、一第二阻挡层、一金属硬罩幕层、一硬罩幕层、以及一抗反射层,其中该第一与该第二介电层为低介电常数的介电层; 形成一定义过的第一光阻层于该抗反射层上,以定义该RARC层、该硬罩幕层以及该金属硬罩幕层,因而形成一第一开口以暴露出该第一阻挡层; 移除该第一光阻层与该抗反射层; 形成一充填材料层于该硬罩幕层上并填满该第一开口; 形成一定义过的第二光阻层于该充填材料层上,用以定义该充填材料层、该第二阻挡层、该第二介电层以及该第一阻挡层,因而形成一第二开口而暴露出该第一介电层; 移除该第二光阻层与该充填材料层; 以该金属硬罩幕层以及该硬罩幕层作为一罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,以形成一个镶嵌开口,其中该镶嵌开口会暴露出该盖层;以及 移除暴露的该盖层,以暴露出下层的该金属导线。
【技术特征摘要】
US 2002-1-10 10/044,3221.一种在低介电常数材料层中形成开口的方法,其特征是,该方法包括下列步骤提供一基底,含有一金属导线;依序在具有该基底上形成一盖层、一第一介电层、一第一阻挡层、一第二介电层、一第二阻挡层、一金属硬罩幕层、一硬罩幕层、以及一抗反射层,其中该第一与该第二介电层为低介电常数的介电层;形成一定义过的第一光阻层于该抗反射层上,以定义该RARC层、该硬罩幕层以及该金属硬罩幕层,因而形成一第一开口以暴露出该第一阻挡层;移除该第一光阻层与该抗反射层;形成一充填材料层于该硬罩幕层上并填满该第一开口;形成一定义过的第二光阻层于该充填材料层上,用以定义该充填材料层、该第二阻挡层、该第二介电层以及该第一阻挡层,因而形成一第二开口而暴露出该第一介电层;移除该第二光阻层与该充填材料层;以该金属硬罩幕层以及该硬罩幕层作为一罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,以形成一个镶嵌开口,其中该镶嵌开口会暴露出该盖层;以及移除暴露的该盖层,以暴露出下层的该金属导线。2.如权利要求1所述的方法,其特征是,该镶嵌开口包括一沟渠开口以及一介层洞开口,而该第一阻挡层与该盖层分别用来作为形成该沟渠开口与该介层洞开口的蚀刻阻挡层。3.如权利要求1所述的方法,其特征是,形成该第一与该第二介电层的材料包括含有硅的无机聚合物。4.如权利要求1所述的方法,其特征是,该抗反射层为一底部抗反射涂布层。5.如权利要求1所述的方法,其特征是,该充填材料层为用液态的有机聚合物组成的一底部抗反射涂布层。6.如权利要求1所述的方法,其特征是,该金属硬罩幕层所用的材料选自钽、氮化钽、钛、氮化钛、钨以及氮化钨其中之一。7.如权利要求1所述的方法,其特征是,该第一阻挡层可以是一氮化硅层或是一碳化硅层。8.如权利要求1所述的方法,其特征是,该第二阻挡层可以是一氮化硅层或是一碳化硅层。9.如权利要求1所述的方法,其特征是,该硬罩幕层可以是一氮化硅层或是一碳化硅层。10.如权利要求1所述的方法,其特征是,进一步包括在移除暴露的该盖层以后,于该镶嵌开口中形成一双重镶嵌内连线结构。11.如权利要求10所述的方法,其特征是,于该镶嵌开口中形成该双重镶嵌内连线结构的步骤包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:王志荣,陈东郁,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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