一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料，其化学式为Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7。先将原料Bi2O3、MgO、Nb2O5、SnO2按化学式称量配料，经过球磨、烘干，过筛后于750℃煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，再经过球磨、烘干、过筛后压制成型为坯体；坯体于925～975℃烧结，制成高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料。本发明专利技术的烧结温度为925～975℃，介电常数εr在142～152之间，介电损耗tanδ≤8×10‑4，电容量温度系数TCC在‑170×10‑6/℃～200×10‑6/℃范围内，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备，大大了降低多层器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，特别涉及一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷及其制备方法。
技术介绍
近年来，通讯技术得到了显著的发展，便携电话、无线网络、全球卫星通讯等通讯系统已经和人们的生活紧密联系起来。但是，通讯技术的发展也对载波频率和通讯设备有了更高的要求，一方面要求载波频率拓宽到传输信息容量更大的微波频段，另一方面，通讯设备的集成化、轻量化、高稳定性要求也成为未来通讯器件的发展的趋势。微波电路的集成化是微波器件小型化、轻量化、高稳定性的基础，而具有良好微波介电性能的材料研究是微波电路集成化道路上不可缺少的部分，也是推动微波通信的发展的基础。近年来，微波介质陶瓷已经成为功能陶瓷材料领域的研究热点之一。Bi2O3-ZnO-Nb2O5三元系陶瓷介质，作为一类重要的低温共烧陶瓷材料受到了国内外科学家广泛的关注，其具有烧结温度低、介电常数高、介电损耗小、电容量温度系数可调等优点，并且其不与Ag内电极浆料起反应，可采用低钯含量的银钯浆料作为内电极，并大<br>大降低多层器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料，化学式为Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7。上述高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料的制备方法，具有如下步骤：(1)将原料Bi2O3、MgO、Nb2O5、SnO2按Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7化学式称量配料；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)处理后的粉料于750℃下煅烧4小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球...

【技术特征摘要】
1.一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料，化学式为Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7。
上述高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料的制备方法，具有如下步骤：
(1)将原料Bi2O3、MgO、Nb2O5、SnO2按Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7化学式称量配料；
(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将
球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；
(3)将步骤(2)处理后的粉料于750℃下煅烧4小时，合成主晶相；
(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐
中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以2MPa
的压力压制成型为坯体；
(5)将步骤(4)成型后的坯体于925～975...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，张帅，吕笑松，孙正，张宁，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12