高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法技术

一种高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法，步骤是：A、氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液制备：将氧化石墨烯的水溶液与N,N‑二甲基甲酰胺混合后减压旋转蒸馏，对蒸馏液超声处理；B、氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料的制备：取纳米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，机械搅拌和超声处理，得到悬浮液；C、聚偏二氟乙烯复合材料的制备：将聚偏二氟乙烯加入到N,N‑二甲基甲酰胺中，搅拌，同时升温到45—55℃；将B步制得的悬浮液加入，再搅拌和超声处理，将混合液加热得到粘稠液，再将粘稠液烘干得到烘干物，最后用微型双螺杆挤出机进行熔融共混，即得。制得物具有高的介电常数，介电损耗较低，机械性能好。

Preparation method of polyvinylidene fluoride composite material with high dielectric constant and low dielectric loss polyvinylidene fluoride two

Method for preparing a high dielectric constant and low dielectric loss of polyvinylidene fluoride composite materials in two steps: A, graphene oxide N, N two DMF solution preparation: aqueous solution of graphene oxide and N, N two DMF mixed vacuum rotary evaporator the distilled liquid, ultrasonic treatment; B, graphene oxide / silica hybrid material preparation: nano silica was added to the graphene oxide A step N solution, two DMF N, mechanical stirring and ultrasonic treatment, suspension is obtained; C, polyvinylidene fluoride composite material two material preparation: polyvinylidene fluoride is added to the N two, N two mixing dimethylformamide, at the same time, heating to 45 to 55 DEG C; the suspension B prepared to join, stirring and ultrasonic treatment, the mixture obtained by heating viscous fluid, the viscous liquid drying drying. Finally, a micro twin screw extruder is used for melt blending. The prepared products have high dielectric constant, low dielectric loss and good mechanical properties.

【技术实现步骤摘要】
高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法
本专利技术属于介电高分子复合材料的制备

技术介绍
聚偏二氟乙烯是由单体1,1-二氟乙烯聚合得到的线性高聚物，同时具备含氟树脂和通用树脂的特点，除具有高的拉伸强度和冲击强度、极好的韧性和耐磨性，以及优异的耐热性、耐化学腐蚀性和耐老化性外，还具有优异的铁电性、压电性、介电性、热电性等特殊性能，广泛用于石油化工、氟碳涂料、电子电气等领域。在电子电气领域，常常选择聚偏二氟乙烯作为基体材料，并在基体中引入有机或无机的导电填料、或者具有高介电常数的陶瓷材料，制得高性能的聚合物介电材料，用于传感器、电容器的制作等。导电填料的加入可以在聚偏二氟乙烯基体中形成更多更密的极化介电界面，介电常数提高，但是随着导电填料含量的增加，介电界面会导通，会带来介电损耗的急剧增加。而陶瓷材料的加入虽能提高材料的介电性能，但是大量的脆性陶瓷材料的加入会导致材料的机械性能和加工性能下降。因此，亟需开发不降低机械性能和加工性能，高介电常数、低介电损耗的聚偏二氟乙烯基复合材料的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法，其步骤是：A、氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液制备：将质量百分比为1％的氧化石墨烯的水溶液与N,N‑二甲基甲酰胺混合，N,N‑二甲基甲酰胺与氧化石墨烯水溶液的体积比为1:2；然后进行减压旋转蒸馏，得到氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，再对其进行超声处理0.5‑2h；B、氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料的制备：取纳米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，得混合溶液；其中，氧化石墨烯与纳米二氧化硅的质量比为100:2—20；然后将混合溶液搅拌0.5—1h，随后超声处理0.5—1h，再次搅拌0.5—1h，再次超声处理0....

【技术特征摘要】
1.高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法，其步骤是：A、氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液制备：将质量百分比为1％的氧化石墨烯的水溶液与N,N-二甲基甲酰胺混合，N,N-二甲基甲酰胺与氧化石墨烯水溶液的体积比为1:2；然后进行减压旋转蒸馏，得到氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液，再对其进行超声处理0.5-2h；B、氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料的制备：取纳米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液，得混合溶液；其中，氧化石墨烯与纳米二氧化硅的质量比为100:2—20；然后将混合溶液搅拌0.5—1h，随后超声处理0.5—1h，再次搅拌0.5—1h，再次超声处理0.5—1h，得到氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料悬浮液；C、聚偏二氟乙烯复合材料的制备：将聚偏二氟乙烯加入到N,N-二甲基甲酰胺中，在搅拌的条件下，升温到45—55℃，持续搅拌2—3h，得到聚偏二氟乙烯的N,N-二甲基甲酰胺溶液；然后将氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料悬浮液...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，黄婷，徐宪玲，杨静晖，张楠，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：四川,51