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本发明公开了一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料，其化学式为Bi2Mg0.67Nb1.13Sn0.2O7。先将原料Bi2O3、MgO、Nb2O5、SnO2按化学式称量配料，经过球磨、烘干，过筛后于750℃煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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