制造半导体器件的方法技术

按照本发明专利技术第一方面所述制造半导体器件的方法包括：形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括在半导体基板上方的一个第一开口，在上述半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上方制成；在第一光敏树脂固化层上形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个第二开口，第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层以便填满第一和第二开口。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请以2000年3月29日提交的先有日本专利申请No.2002-95432为基础，并要求该专利申请的优选权益，在此引入该专利申请的整个内容作为参考。下面将参照图6(a)-6(f)说明用镶嵌法形成半导体器件的常规方法。如图6(a)中所示，在一半导体基板(未示出)上方形成一个层间介电膜5，在半导体基板上通过绝缘层2形成一个基础布线层4。然后，在层间介电膜5上形成一个抗蚀剂图形40，穿过该抗蚀剂图形制成一个开口41(图6(a))。随后，如图6(b)中所示，用抗蚀剂图形40作掩模，通过各向异性腐蚀使层间介电膜5形成图形，以便形成一个连接到层间介电膜5中基础布线层4的槽5a。此后，除去抗蚀剂图形40。然后，如图6(c)中所示，形成一个用于形成布线的抗蚀剂图形44。随后，用该抗蚀剂图形44作为掩模，通过各向异性腐蚀，穿过层间介电膜5形成一个槽5b，该槽5b大于槽5a。此后，除去抗蚀剂图形44。接下来，如图6(d)中所示，在整个表面上形成一个阻挡层金属层46。此后，在整个表面上淀积一个金属层48以便填满槽5a和5b，如图6(e)中所示。随后，用化学机械抛光(CMP)等方法除去过量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括一个在半导体基板上的第一开口，在半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上形成；形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个 在第一光敏树脂固化层上的第二开口，该第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层，以便填满第一和第二开口。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-29 095432/20021.一种制造半导体器件的方法，包括形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括一个在半导体基板上的第一开口，在半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上形成；形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个在第一光敏树脂固化层上的第二开口，该第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层，以便填满第一和第二开口，2.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，还包括形成一个阻挡层金属层，以便在形成布线层之前覆盖第一和第二开口的底部及侧面部分。3.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中第二光敏树脂是阴性类型。4.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括在形成第一光敏树脂固化层之前在基础布线层上形成一个绝缘层；及利用第一和第二光敏树脂固化层作为掩模，腐蚀和除去在第一开口下方的绝缘层。5.按照权利要求4所述的制造半导体器件的方法，还包括在腐蚀和除去绝缘层之后及在形成布线层之前，形成一个阻挡层金属层，以便覆盖第一和第二开口的底部和侧面部分。6.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中第一开口具有一个平面形状，该平面形状与埋入第一开口中的布线层插塞平面形状相配合。7.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中形成第一光敏树脂固化层包括涂敷、曝光、显影、和固化第一光敏树脂，而形成第二光敏树脂固化层包括涂敷、曝光、显影、和固化第二光敏树脂。8.按照权利要求7所述制造半导体器件的方法，其中涂敷的第一和第二光敏树脂在曝光之前预固化。9.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中用聚酰亚胺作为第一和第二光敏树脂的材料。10.按照权利要求1所述制造半导体器件的方法，其中形成布线层包括在包括第一和第二开口的第一和第二光敏树脂固化层上方淀积一种布线材料；及用化学机械抛光法除去第一和第二开口外部的布线材料，直到第二光敏树脂固化层曝光为止。11.一种制造半导体器件的方法，包括在半导体基板上方形成一个层...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑户雅晴，松尾美惠，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]