【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。1986年，A.Tsumura et al.(A.Tsumura，H.Koezuka，and T.ando，Appl.Phys.Lett.，49(18)，1210，1986)首次用聚噻吩作为半导体材料制备得到有机薄膜场效应晶体管(Organic Thin-Film Field-Effect Transistors，以下简称OTFFETs)，自此以后有机晶体管技术得到不断的发展。1997年，Y.Y.Lin et al.(Y.Y.Lin，D.J.Gundlach，S.F.Nelson et al.，IEEE Electron Device Letters，18(12)，606，1997)制备得到了空穴载流子迁移率高于1.7cm2/V·s的OTFFETs，这样的性能完全可以与现在使用的无定型硅晶体管相媲美，而且在制造成本、制备工艺条件上远远胜于无定型硅晶体管，从此，打开了OTFFETs工业化应用的道路。研究表明，当有机半导体器件(包括有机发光二极管和OTFFETs)放置在空气中时，它们的性能很容易衰减。当OTFFETs的有机半导体层处于与空气直接接...
【技术保护点】
一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法，该方法是向器件一侧或者两侧淀积封装层，其特征在于：该封装层由一层聚合物材料厚膜层组成或由聚合物材料薄膜层和陶瓷材料薄膜层以一定周期数ｎ交替重叠组成。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法，该方法是向器件一侧或者两侧淀积封装层，其特征在于该封装层由一层聚合物材料厚膜层组成或由聚合物材料薄膜层和陶瓷材料薄膜层以一定周期数n交替重叠组成。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述的聚合物材料厚膜层采用聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、UV固化胶中的一种聚合物。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述的由一层聚合物材料厚膜层组成封装层的制备方法为在有机薄膜场效应晶体管的正面采用刮膜法或涂覆法制备一层液态的未聚合的聚合物单体层，经紫外线照射原位聚合成平整的固态膜。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述的周期数n为1～10的整数。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述的聚合物材料薄膜层采用聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、UV固化胶中的一种聚合物。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：董桂芳，胡远川，王立铎，邱勇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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