使用IR和/或NIR辐射干燥有机半导体层、导体层或滤色器层的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于干燥和／或随后处理薄层的方法，所述薄层含有有机半导体、有机导体或有机滤色器。所述方法用于有机发光二极管（ＰＬＥＤ）、有机集成电路（Ｏ－ＩＣ）、有机场效应晶体管（ＯＦＥＴ）、有机薄膜晶体管（ＯＴＦＴ）、有机太阳能电池（Ｏ－ＳＣ）、有机激光二极管（Ｏ－ｌａｓｅｒ）、液晶显示器用有机滤色器、或有机光感受器的生产中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种干燥有机半导体层、有机滤色器层或有机导体层的方法，以及涉及使用所述方法生产的这些有机半导体层、有机滤色器层或有机导体层。在许多广义上可认为是属于电子工业的不同应用中，使用有机半导体、有机滤色器或有机导体作为有源元件(即功能材料)即成事实已久或正被期待在不久的将来成为事实。有机基底上的电荷传输材料(通常，为基于三芳基胺的空穴传输体)在复印机中已经使用多年了。特殊半导体有机化合物的应用正处于即将被引入市场的阶段，例如用在有机和高分子电致发光器件中，其中所述的一些半导体有机化合物还能在可见光区内发光。有机电荷传输层在某些应用如有机集成电路(有机IC)和有机太阳能电池中的使用至少已在研究阶段表现出了极好进展，因此，可期待其可在未来的几年内被引入市场。还有很大的其它可能性，但通常认为它们只是对上述工艺的一种改进，如有机固体激光二极管和有机光电探测器所示。对于一些的这些现代应用而言，所述发展至少已是部分地先进得多了，但对于技术进步仍存在巨大的需要，这种需要取决于应用。通常，所有这些器件都使用有机半导体薄层或有机导体薄层。本文的薄层所指层的厚度为10nm到10μm，但通常小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产有机半导体薄层、有机导体薄层或有机滤色器薄层的方法，其包括以下步骤：　　　　（ａ）使包含至少一种有机半导体或有机导体或有机滤色器的溶液或分散体淀积到衬底上；　　　　（ｂ）通过ＩＲ和／或ＮＩＲ辐射对步骤（ａ）产生的湿膜进行干燥；　　　　所述方法的特征在于，步骤（ｂ）中所用辐射的至少８０％的辐射能处在７００到２０００ｎｍ范围内。

【技术特征摘要】
DE 2001-10-30 10153445.01.一种生产有机半导体薄层、有机导体薄层或有机滤色器薄层的方法，其包括以下步骤(a)使包含至少一种有机半导体或有机导体或有机滤色器的溶液或分散体淀积到衬底上；(b)通过IR和/或NIR辐射对步骤(a)产生的湿膜进行干燥；所述方法的特征在于，步骤(b)中所用辐射的至少80％的辐射能处在700到2000nm范围内。2.权利要求1的方法，其特征在于所用辐射的辐射强度大于75kW/m2。3.权利要求1或2的方法，其特征在于经过干燥的固体膜层含有低于1％(质量)的溶剂。4.权利要求1-3的一项或多项的方法，其特征在于所述湿膜的干燥时间低于30秒。5.权利要求1-4的一项或多项的方法，其特征在于所述干燥(步骤b)直接在所述涂布(步骤a)之后进行。6.权利要求1-4的一项或多项的方法，其特征在于所述干燥(步骤b)在所述涂布(步骤a)过程中已经开始。7.权利要求1-6的一项或多项的方法，其特征在于含有有机导体、半导体或滤色器的溶液或分散体含有至少一种高沸点溶剂，所述高沸点溶剂的熔点为至...

【专利技术属性】
技术研发人员：于尔根施泰格尔，苏珊霍伊恩，霍斯特韦斯特韦伯，曼弗雷德威纳，安德烈亚斯马托伊斯，
申请(专利权)人：科文有机半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]