晶片的制造方法和粘接带技术

一种晶片制造方法，其特征在于，具有：（ａ）在磨削前，预先在晶片表面上贴合粘接带的工序，和（ｂ）在晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在适用于IC卡和智能卡等膜化磨削加工中，晶片的膜化磨削和膜化的晶片运送等晶片制造方法和其中使用的粘接带。
技术介绍
作为半导体晶片，通常熟知硅和镓-砷等化合物半导体，其中多数使用硅。该硅晶片可由通过单晶拉伸法得到的高纯度硅锭切割为约500～1000μm的厚度来制造。通过各种方法加工这样制造的硅晶片，并在晶片上形成多种集成电路图案。然后，当形成该电路图案的晶片采用各种装置或者采用各种安装方式进行包装密封时，首先，为了变薄成规定的厚度，使用称作背砂研磨机的装置，磨削加工晶片里表面而进行膜化。另外，根据需要，有时也进行以化学腐蚀、CMP(化学·机械·研磨)等为代表的应力释放处理，以除去磨削加工时破碎层等磨削形变。这时，在电路图案表面上贴合保护用粘接带，目的是防止来自磨削加工和应力释放处理中的磨削粉尘以及防止化学污染和磨削加工时的冲击造成的晶片自身的破损。晶片里表面的磨削加工结束后，在紫外线固化型粘接带的情况下，对该表面贴合的保护用粘接带预先进行紫外线照射后，剥离除此以外的保护用粘接带而不需要特别的后处理，存放在晶片盒中后，运送到切块工序。可是，在这些现有的晶片里表面磨削加工方式中，里表面磨削后晶片厚度达到300μm以上时，由该晶片的磨削加工，产生晶片本身难以产生的弯度或者挠度。因此，磨削加工后的晶片与不进行磨削加工的晶片同样是平坦形状的晶片，所以，可将磨削加工后的晶片以原有的形状在运送到下一个工序的同时存放在晶片盒中。另一方面，近年来，随着对移动仪器的安装使用扩大，以组合型CSP(芯片·尺寸·包装)为代表的三维高密度安装型组件正快速地普及起来。据此，随着芯片面积和组件投影面积的同一化和组件厚度的膜化，安装的芯片本身必须膜化，即必须将半导体晶片本身的厚度极端减薄为25～100μm。但是，这样膜化的晶片在原样地磨削加工后，难以保持磨削加工前的平坦形状。即，磨削加工后产生显著的弯度·挠度，晶片的顶端易弯曲变形为所谓炸马铃薯薄片形状。因此，使用背砂研磨机的晶片里表面磨削加工结束后，在吸附固定晶片的载置台上进行拆卸时，晶片本身容易变形为炸马铃薯薄片那样的形状。因此，由于这样的变形，容易在用于向下一个工序运送晶片的吸附支架上产生真空吸附误差，另外，在向晶片盒存放时，由于晶片弯曲，产生本身不能进行存放等问题。作为解决这些问题的方法，例如，现已提出了预先在切块工序中使用的框架等比晶片直径还大的环状框架，并在全部表面上贴合表面保护带，在该带的中央部分贴合固定晶片的方法(特开平6-302569号公报)。根据该方法，将膜化磨削加工结束后的晶片形状通过环状框架保持为平坦形状，并将晶片连环状框架一起运送。另外，特开2001-93864公报等公开了的方法是，预先使晶片介于石英玻璃或蓝宝石玻璃等硬质且平坦的衬底和两面带或蜡等粘合剂之间，或者通过由在衬底上设置的孔等吸引而使晶片和衬底贴合或者粘合，连该衬底一起进行晶片里表面磨削加工，保持膜化的晶片形状平坦，能够以在衬底上粘合的状态向下一个工序或在盒等中存放。但是，这样的膜化的晶片形状的保持、运送方法在使用环状框架时，随着晶片直径的加大，在环状框架的大小适应于晶片直径的同时，需要增大背砂研磨机自身的吸附固定载置台。因此，必须重新开发与通用装置极为不同的特别装置，另外，也需要连环状框架一起存放的特别的盒或者存放方法。另外，在贴合硬质衬底的晶片形状的保持、运送方法中，在晶片和硬质衬底的界面上不卷入气泡等进行粘合是困难的。另外，晶片的膜化磨削加工结束后，在现有装置中从衬底剥离晶片是困难的，而且剥离时容易引起晶片发生破损等新问题。专利技术概要本专利技术的目的在于提供维持这些膜化的晶片形状保持和运送方面的性能，同时确保成为问题的晶片贴合以及从晶片剥离等与现有装置的适应性的晶片膜化磨削和膜化晶片运送方法。另外本专利技术的目的在于提供适合于上述方法中使用的膜化磨削加工时的晶片粘接带。本专利技术的上述及其它目的、特征和优点通过与附加的附图一起考虑，由下述的记载会变得更加清楚。附图的简单说明附图说明图1是本专利技术的晶片粘接带的晶片形状保持层的DSC图之一例。图2是表示本专利技术的晶片粘接带的剖面图之一例。专利技术详述本专利技术人为了克服这种现有的半导体晶片膜化磨削和膜化晶片运送方法中的问题，进行了各种深入研究，结果发现，在晶片磨削前，预先在电路图案表面上贴合具有晶片形状保持层的粘接带，晶片的里表面磨削加工结束后，从吸附固定磨削装置的晶片卡盘工作台取出晶片前，使该粘接带的晶片形状保持层由柔软的状态，固化为可以保持膜化的晶片形状的硬度，通过将该晶片连该粘接带一起从该卡盘工作台上拆卸并进行运送，可以原样地保持平坦形状的晶片，而且可以防止由于运送时造成的晶片的破损，同时可以存放在原有的晶片盒中，基于该发现，完成本专利技术。即，本专利技术提供(1)一种晶片制造方法，其特征在于，具有(a)在磨削前，预先在晶片表面上贴合粘接带的工序，和(b)在晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。(2)按照(1)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述粘接带作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的晶片形状保持层。(3)按照(1)或者(2)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。(4)按照(1)～(3)项中任一项记载的晶片制造方法，其特征在于，在使上述的晶片形状保持层固化的工序中，晶片磨削结束后，由磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层可以平坦地保持晶片形状的温度。(5)按照(3)项记载的晶片制造方法，其特征在于，构成上述粘接带的晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有在熔融开始温度Ti下进行软化-固化变化的侧链晶性聚合物。(6)按照(1)～(5)项中任一项记载的晶片制造方法，其中，具有在原样地贴合上述粘接带的状态下进行运送的工序。(7)一种晶片制造方法，其特征在于，具有在晶片的磨削前，预先在该晶片表面上一边加热至构成粘接带的晶片形状保持层的树脂的玻璃化温度以上一边使上述晶片形状保持层软化而贴合粘接带的工序；和在晶片磨削后，通过从磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层构成树脂的玻璃化温度以下而使其固化的工序。(8)按照(7)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，由至少一层以上的树脂层构成，使用具有构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下的玻璃转化温度的树脂，通过冷却到该树脂的玻璃化温度以下进行固化，从而可逆地变化为能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的状态。(9)一种晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的晶片形状保持层。(10)按照(9)项记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述的晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。(11)按照(10)项记载的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片制造方法，其特征在于，具有(a)在磨削前，预先在晶片表面上贴合粘接带的工序，和(b)在晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。2.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，上述粘接带作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够保持膜化的晶片形状为平坦形状的晶片形状保持层。3.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。4.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，在使上述晶片形状保持层固化的工序中，晶片磨削结束后，由磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层可以保持晶片形状平坦的温度。5.按照权利要求3记载的晶片制造方法，其特征在于，构成上述粘接带的晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有在熔融开始温度Ti下进行软化-固化变化的侧链晶性聚合物。6.按照权利要求1～5中任一项记载的晶片制造方法，其中，具有在原样地粘合上述粘接带的状态下进行运送的工序。7.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，具有在晶片的磨削前，预先在该晶片表面上通过一边加热至构成粘接带的晶片形状保持层的树脂的玻璃化温度以上一边使上述晶片形状保持层软化而贴合粘接带的工序；和在晶片磨削后，通过从磨削时发热产生的加热状态冷却到晶片形状保持层构成树脂的玻璃化温...

【专利技术属性】
技术研发人员：石渡伸一，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：