膜评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种即不使成膜装置的生产性劣化，又可轻易测定成膜装置的成膜温度或膜的特性的方法。其解决手段是，事先制作参照用红外线吸收光谱图案作为资料库。然后，利用傅立叶转换红外线分光（ＦＴ－ＩＲ）法，测定被测定膜的红外线吸收图案。再次，根据参照用红外线吸收光谱图案，及被测定膜的红外线光谱图案，进行部分最小平方回归（ＰＬＳ）法的多变量分析的后，再根据分析的结果，算出成膜温度等。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种可利用在制造装载于电子机器上的各种晶体管或半导体存储器等的半导体装置的膜的评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的高集成化和高性能化的进展，在多层配线层的层间绝缘膜上采用介电系数低、添加了氟的氧化硅膜(氟氧化硅膜FSG膜)。该氟氧化硅膜的形成，一般是利用适于细微配线层间的埋设的高密度电解液化学气相沉积(HDP-CVD＝High Density Plasma-ChemicalVa por Deposition)装置所成的膜。然而，高密度电解液化学气相沉积(HDP-CVD)装置，由于是形成利用静电吸盘(chuck)来保持晶片的构造，所以会有无法监视成膜温度的不良情况。而且，高密度电解液化学气相沉积(HDP-CVD)装置的成膜温度虽可由成膜时的RF功率等而决定，但是由于很难测定具热电极的硅基板等的实际温度，所以无法正确知道高密度电解液化学气相沉积(HDP-CVD)装置的成膜温度。因此，本案申请人，采用记载于国际公开WO99/57146号公报中有关硅基板上的非晶体硅层的回复速率的温度测定技术，以测定高密度电解液化学气相沉积(H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜的评价方法，其包含有： 对形成有膜的基板入射电磁波以测定上述电磁波的吸收光谱的步骤（ａ）；以及 从上述吸收光谱的形状算出对应上述膜的膜质的特定值的步骤（ｂ）。

【技术特征摘要】
JP 2001-9-10 273132/011.一种膜的评价方法，其包含有对形成有膜的基板入射电磁波以测定上述电磁波的吸收光谱的步骤(a)；以及从上述吸收光谱的形状算出对应上述膜的膜质的特定值的步骤(b)。2.根据权利要求第1项所述的膜的评价方法，其特征为在上述步骤(a)中，入射作为上述电磁波的红外线；在上述步骤(b)中，从上述红外线的吸收光谱的形状算出上述特定值。3.根据权利要求第2项所述的膜的评价方法，其特征为事先准备复数个对应膜的膜质的基准的参照用红外线吸收光谱；在上述步骤(b)中，比较上述参照用红外线吸收光谱、及上述膜的上述红外线吸收光谱，以算出上述特定值。4.根据权利要求第3项所述的膜的评价方法，其特征为在上述步骤(b)中，根据上述参照用红外线吸收光谱、及上述红外线吸收光谱的形状进行多变量分析，以算出上述特定值。5.根据权利要求第1项～第4项中所述的任何一项膜的评价方法，其特征为在上述步骤(a)中，由上述膜及基板的红外线吸收光谱减去事先测定的上述基板的红外线吸收光谱，只求出上述膜的红外线吸收光谱。6.一种温度测定方法，其包含有对形成有膜的基板入射电磁波以测定上述电磁波的吸收光谱的步骤(a)；以及从上述吸收光谱的形状算出上述膜的成膜温度的步骤(b)。7.根据权利要求第6项所述的温度测定方法，其特征为在上述步骤(a)中，入射红外线作为上述电磁波；在上述步骤(b)中，从上述红外线的吸收光谱的形状算出上述成膜温度。8.根据权利要求第7项所述的温度测定方法，其特征为事先准备复数个对应膜的成膜温度的参照用红外线吸收光谱；在上述步骤(b)中，比较上述参照用红外线吸收光谱、及上述膜的上述红外线吸收光谱，以算出上述成膜温度。9.根据权利要求第8项所述的温度测定方法，其特征为在上述步骤(b)中，根据上述参照用红外线吸收光谱、及上述红外线吸收光谱的形状进行多变量分析，以算出上述成膜温度。10.根据权利要求第6项～第9项中所述的任何一项温度测定方法，其特征为在上述步骤(a)中，由自上述膜及基板的红外线吸收光谱减去...

【专利技术属性】
技术研发人员：立成利贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]