用于测定半导体开关的温度的方法和设备技术

本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明专利技术涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明专利技术使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

【技术实现步骤摘要】
用于测定半导体开关的温度的方法和设备
本专利技术涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备。
技术介绍
半导体开关尤其例如用于电压和电流的整流器和逆变器，其中，通常将多个半导体开关彼此电连接来实现变流器。半导体开关在此通常设置在衬底上，该衬底又直接或间接与冷却体连接。在半导体开关、譬如绝缘栅双极型晶体管（IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor））或金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET：MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor））运行时，在接通和关断半导体开关时在半导体开关中以热形式出现损耗能量，该损耗能量导致半导体发热。损耗能量在此基本上出现在半导体开关的所谓阻挡层并且导致其温度上升。损耗能量在此基本上依赖于半导体开关接通和关断的频率以及在运行中流经半导体开关的电流和加在半导体开关上的电压。如果在半导体开关运行中，半导体开关的温度尤其是其阻挡层温度超过允许的边界值，例如由于动态或静态过负载，则这可能导致故障并且在极端情况下导致半导体开关损毁。为了防止这种情况，在现有技术中已知的是，在设置在衬底上的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于测定半导体开关（1）的温度（T）的方法，该半导体开关具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：?通过经与所述半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高所述半导体开关（1）的栅极?发射极电压（UGE）来接通所述半导体开关（1），?测定在提高所述半导体开关（1）的栅极?发射极电压（UGE）期间所述栅极?发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及?借助所测定的持续时间（dt）来测定所述半导体开关（1）的温度（T）。

【技术特征摘要】
2011.09.29 DE 102011083679.91.用于测定半导体开关(1)的温度(T)的方法，该半导体开关具有集成的栅极电阻(RGint)，该方法具有如下方法步骤：-通过经与所述半导体开关(1)的栅极电阻端子(GA)连接的外部电阻(Rext)提高所述半导体开关(1)的栅极-发射极电压(UGE)来接通所述半导体开关(1)，-测定在提高所述半导体开关(1)的栅极-发射极电压(UGE)期间所述栅极-发射极电压(UGE)从第一电压(U1)上升到第二电压(U2)需要的持续时间(dt)，以及-借助所测定的持续时间(dt)来测定所述半导体开关(1)的温度(T)。2.根据权利要求1所述的方法，其具有如下其他方法步骤：-当所测定的所述半导体开关(1)的温度(T)达到或超过温度边界值(TK)时关断所述半导体开关(1)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二电压(U2)在所述半导体开关(1)的阈值电压(US)之下。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体开关(1)构建为IGB...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡·斯库勒，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：