功率半导体装置的温度测量设备制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
功率半导体装置的温度测量设备相关申请的交叉引用本申请基于2011年9月7日提交的日本专利申请No.2011-194942并要求其优先权，该申请的内容通过引用结合于此。专利技术背景1.专利
本专利技术涉及安装在车辆的电压转换器等电子系统中的半导体装置的温度测量设备。2.
技术介绍
在最近的车载装置中，如图11所示，具有电动机1104来产生驱动力的车辆驱动系统1100包括电源1101的主要部分、降压-升压转换器1102、和逆变器1103来实现高效率和能源节省。电动机1104在其驱动车辆时是三相电动机，但当其制动车辆时变成发电机。箭头Y1指示车辆驱动时能量流动的方向，且箭头Y2指示车辆制动时能量流动的方向。电源1101从高架电线提供的电压处或从串联连接的电池处获得。降压-升压转换器1102在车辆驱动时，将电源1101的电压VL（例如，280V）升压至适于驱动电动机1104的电压VH（例如，750V）；降压-升压转换器1102在车辆制动时将由电动机1104产生的电压VH（例如，750V）降压至执行再生操作的电源电路的电压VL（例如，280V）。逆变器1103在车辆驱动时通...
【技术保护点】
一种功率半导体装置的温度测量设备，所述功率半导体装置具有位于所述装置的硅芯片上的功率开关元件和温度检测二极管，所述温度测量设备包括用于检测所述功率开关元件的芯片温度的芯片温度检测电路，所述芯片温度检测电路包括：用于向所述温度检测二极管供应恒流的恒流源，用于递送作为所述温度检测二极管两端的经数字转换的正向电压的测量值的A/D转换器，运算处理单元，用于基于从所述A/D转换器递送并由所述运算处理单元接收的测量值来计算所述芯片温度，以及用于存储数据以供在所述运算处理单元中使用的存储器，所述运算处理单元包括校准处理部分和芯片温度计算部分，所述存储器存储由所述校准处理部分计算出的斜率值...
【技术特征摘要】
2011.09.07 JP 2011-1949421.一种功率半导体装置的温度测量设备，所述功率半导体装置具有位于所述装置的硅芯片上的功率开关元件和温度检测二极管，所述温度测量设备包括用于检测所述功率开关元件的芯片温度的芯片温度检测电路，所述芯片温度检测电路包括：用于向所述温度检测二极管供应恒流的恒流源，用于递送作为所述温度检测二极管两端的经数字转换的正向电压的测量值的A/D转换器，运算处理单元，用于基于从所述A/D转换器递送并由所述运算处理单元接收的测量值来计算所述芯片温度，以及用于存储数据以供在所述运算处理单元中使用的存储器，所述运算处理单元包括校准处理部分和芯片温度计算部分，所述存储器存储由所述校准处理部分计算出的斜率值和作为从所述A/D转换器递送的测量值之一的偏移校正值，所述校准处理部分，通过替代温度检测二极管而连接施加不同已知基准电压的基准电压源，进行所述芯片温度检测电路中的误差的校准，且所述校准处理部分还计算连接在施加基准电压时从所述A/D转换器递送的各测量值的线段的斜率，并将所计算的线段斜率与所述偏移校正值传递至所述存储器，以及所述芯片温度计算部分根据经校正的测量值计算所述芯片温度，所述经校正的测量值基于在使用所述温度检测二极管进行温度测量的过程中从所述A/D转换器递送的测量值且还基于存储于所述存储器中的线段斜率值与所述偏移校正值来计算。2.如权利要求1所述的功率半导体装置的温度测量设备，其特征在于，所述校准处理部分通过施加基准电压来进行多次测量以从所述A/D转换器获得多个测量值，并取得所述多次测量的平均值作为在校准处理和芯片温度计算处理中使用的测量值。3.一种功率半导体装置的温度测量设备，所述功率半导体装置具有位于所述装置的硅芯片上的功率开关元件和温度检测二极管，所述温度测量设备包括用于检测所述功率开关元件的芯片温度的芯片温度检测电路，所述芯片温度检测电路包括：用于向所述温度检测二极管供应恒流的恒流源，用于递送从作为所述温度检测二极管两端的正向电压的输入信号中产生的脉宽调制信号的脉宽调制电路，用...
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