【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低电力、高精密、宽温度范围的温度传感器，具体而言，涉及一种如下温度传感器，所述温度传感器不使用寄生PNP(Positive-Negative-Positive)晶体管，而使用CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)晶体管，从而能够在更宽的线性范围内进行温度测定，且适合于低电力设计。
技术介绍
近来，随着对低电力消耗的要求提高，正在研究各种用于减少电力消耗的技术。其中，具有代表性的方法为，根据芯片动作温度变化而改变内部动作从而调节电力消耗的方法。即，对变成特定温度以上或以下的温度变化进行感应，并使芯片运动进行改变。为此需要具备能够对芯片内部的温度变化进行感应的温度传感器。现有的温度传感器始终存在着如下固有的自身问题，S卩，即使增大晶体管之间的 电流比，对于温度I度的变化也仅能产生数百微伏(μν)程度的变化，因此，为了检测如此低的电压，从而需要非常精密的电路，而且检测出的温度的误差非常大。另外，由于能够使用于温度检测中的线性区域(Linear Region)受到限制，因此在低温和高温附近具有非线性...
【技术保护点】
一种温度传感器，其包括：电流反射镜，其响应于由电源电压施加的特定电流而产生第一参考电流，并且响应于所述第一参考电流而产生第二参考电流，从而输出所述第一参考电流以及所述第二参考电流；第一MOS晶体管，其漏极端子(D1)上施加有所述第一参考电流，而栅极端子(G1)上施加有偏置电压；以及，第二MOS晶体管，所述产生的第二参考电流被施加于其漏极端子(D2)，产生输出电压。
【技术特征摘要】
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