半导体工艺中250℃到550℃范围内温度测定的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体工艺中温度测定的方法，首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层，然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属，并测定金属线条的电阻，再将使硅片完成正常的生产工艺，之后再次测定金属线条的电阻，通过比较两次电阻值的变化，得到生产工艺流程中的温度。本发明专利技术与现有的温度监控方法比较，可以实时精确地测定在２５０℃到５５０℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性，而不是以静态温度设定推算，采用的材料在半导体工艺中也最为常见，因此成本低廉，简便易行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度测定的方法，尤其是一种应用于半导体工艺中的温度测定的方法。
技术介绍
随着半导体工艺的进一步发展，半导体工艺要求越来越小的热预算，热工艺开始向低温发展。例如在硅化物生长工艺中，硅化物的材料逐渐从TiSi2(二硅化钛)到CoSi2(二硅化钴)，直到NiSi(硅化镍)，相应的，对于温度的控制从原来的600℃-700℃范围降低到400℃-500℃，直到250℃，而且控制的温度精度保持在5℃以内。再比如，由于NiSi和Low-K(低介电系数)材料的采用，其高温不稳定性要求硅片制作过程中片内最高温度不能超过400℃-450℃，而且必须保持良好的均匀性。但是在比较先进的技术中，金属线条的宽度和间距又进一步减小，为了完全的填充线条以及各种介电材料的生长，HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)等等离子体相关的技术普遍被采用，温度普遍设定于350℃-400℃之间。由于这种生长方式同时也是一种等离子体轰击衬底的过程，在轰击过程中超过90％以上的能量以热的形式被传递给了硅片，导致实际硅片生长过程中的温度大大高于设定值。因此，如何确切地获本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体工艺中温度测定的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：（１）在半导体硅片表面淀积一层氧化层；（２）在硅片上以小于１５０℃的温度下淀积一层钛，然后在钛层之上以小于１５０℃的温度淀积一层铝合金；（３）用光刻工艺定义金 属线条以及线条引出的大块金属，然后制作出金属线条图形和大块金属；（４）用探针台测定金属线条初始电阻并记录；（５）将硅片放到设备上完成与实际工艺相同的过程；（６）再一次用探针台测定金属线条的电阻，比较初始值，得出实际制 作时的温度和温度场分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俭，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]