【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种外延测试片的制备方法,包括如下步骤:首先选择测试片,然后进行外延生长,最后测量外延的膜厚和电阻率,其特征在于,在选择测试片之后,进行外延生长之前还包括如下步骤:第一步,激光打印片号;第二步,清洗测试片;第三步,氧化层生长;第四步,光刻并形成高浓度窗口;第五步,锑注入;第六步,扩散推进及退火;第七步,氧化层去除及清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张洪伟,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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