【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于照明用光源、LED显示器、背光灯光源、信号机、照明式开关、各种传感器以及指示器等的发光装置及其形成方法。以往，一般是通过用含有荧光体的树脂对安装发光元件的封装进行模塑而制作。另外，一般是利用有机系的热固化性树脂对发光元件的基板面和支承体上面进行粘接固定(芯片键合)。例如，在特开2001-144331中，公开了在发光元件和引线框架之间通过使银分散在环氧树脂中的银糊剂粘接。另外，在安装发光元件的杯形容器中通过填充分散荧光体的环氧树脂而构成白色发光元件。另外，在特开2000-183408中公开了在将发光元件固定在引线框架中后，依次涂布含有蓝色发光荧光体的预浸渍(predip)材用的热固化性树脂和含有黄橙色发光荧光体的预浸渍用热固化性树脂，通过将热固化性树脂固化而构成白色发光元件。但是，以往的白色发光装置，由于是利用含有荧光体的模塑树脂构成，所以，一旦利用波长更短的光或利用伴有高发热的高输出力的光，模塑树脂就会老化或变色。另外，以往的白色发光装置，由于是在发光元件的下面和支承体的上面用有机系的树脂粘接，所以，一旦利用波长更短的光或利用伴有高发热...
【技术保护点】
一种发光装置，具有配置在支承体上的发光元件、和吸收该发光元件发出的光的至少一部分并进行波长转换而发光的荧光体、及具有该荧光体并至少覆盖所述发光元件表面的涂敷层，其特征在于，所述涂敷层，具有：至少含有选自Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐ、 Ｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｎ、Ｐｂ、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物；至少含有选自Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｎ、Ｐｂ、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氢氧化物。
【技术特征摘要】
JP 2001-10-12 315391/01;JP 2001-11-2 338462/01;JP 1.一种发光装置，具有配置在支承体上的发光元件、和吸收该发光元件发出的光的至少一部分并进行波长转换而发光的荧光体、及具有该荧光体并至少覆盖所述发光元件表面的涂敷层，其特征在于，所述涂敷层，具有至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物；至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氢氧化物。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述涂敷层，主要组成为所述氧化物，所述氢氧化物含有与所述氧化物相同的金属。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，在所述涂敷层中，以所述氧化物为主成分的粒子包围所述荧光体粒子的周围。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，所述涂敷层具有至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上的元素的有机金属化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述涂敷层，在所述发光元件的上面、侧面和角上的厚度大致相等。6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述涂敷层，是覆盖所述支承体表面和所述整个发光元件表面的连续层，并且在所述发光元件的上面、侧面以及角上配置的涂敷层的厚度与在所述支承体表面上配置的涂敷层的厚度大致相等。7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述涂敷层，至少由两层构成，各层的折光率比构成所述发光元件的氮化物半导体的折光率小，并且各层的折光率随着远离所述发光元件依次变小。8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，所述发光元件，通过粘接层被对置在所述支承体上面，所述粘接层含有与所述涂敷层相同的材料。9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光装置，其中，所述粘接层，含有所述氧化物和所述氢氧化物的粒子。10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述粘接层，在所述发光元件的侧面上连续延伸。11.根据权利要求1～10中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件的主发光峰在250nm至530nm范围，并且所述荧光体的主发光波长比所述发光元件的主发光峰长。12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体，含有Y和Al，并且至少含有选自Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu和Sm中一种元素和选自Ga、In中一个元素，是通过选自稀土元素中至少一种元素激活的钇铝石榴石系荧光体。13.根据权利要求1～12中任一项所述的发光装置，其中，所述荧光体，含有N，并且含有Be、Mg、Ca、Sr、Ba以及Zn中至少一个元素和C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、以及Hf中至少一个元素，是通过选自稀土类元素中的至少一个元素激活的氮化物荧光体。14.根据权利要求1～13中任一项所述的发光装置，其中，所述发光元件，发出紫外区域的光，并且所述涂敷层含有选自由(1)Ca10(PO4)6FClSb，Mn(2)M5(PO4)3ClEu(但M至少选自Sr、Ca、Ba、Mg中的一种)(3)BaMg2Al16O27Eu(4)BaMg2Al16O27Eu、Mn(5)3.5MgO·0.5MgF2·GeO2Mn(6)Y2O2SEu(7)Mg6As2O11Mn(8)Sr4Al14O25Eu(9)(Zn、Cd)SCu(10)SrAl2O4Eu(11)Ca10(PO4)6ClBrMn、Eu(12)Zn2GeO4Mn(13)Gd2O2SEu以及(14)La2O2SEu构成的一组中的至少一个荧光体。15.根据权利要求1～14中任一项所述的发光装置，其中，所述支承体，具有引线电极，在从该引线电极绝缘的支承体上具有所述发光元件。16.一种发光装置，在基板上叠层氮化镓系化合物半导体而构成的发光元件的基板面，通过粘接层被对置在所述支承体上，其特征在于，所述粘接层，具有至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物；至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氢氧化物。17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，所述粘接层含有所述氧化物和所述氢氧化物的粒子。18.根据权利要求16或17所述的发光装置，其特征在于，所述粘接层在所述发光元件的侧面上连续延伸。19.根据权利要求16～18中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件的主发光峰在250nm至530nm范围。...
【专利技术属性】
技术研发人员：泉野训宏，松本公树，长滨慎一，佐野雅彦，柳本友弥，坂本惠司，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。