一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法技术

一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法，其特征在于：该方法的具体步骤： （１）设计背电极的条纹图案； （２）选择高分子材料－聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章； （３）利用该图章，将聚亚胺酯或绝缘树脂材料印制到已经光刻好的ＩＴＯ玻璃基片上，方向与ＩＴＯ垂直，厚度约为１－５微米； （４）烘干冷却后，形成与ＩＴＯ条纹垂直的沟道－隔离柱； （５）蒸镀其他层； （６）蒸镀背电极材料。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电致发光器件制备工艺中背电极的制作技术。
技术介绍
制备电致发光器件，都必须考虑背电极这个重要环节。传统的方法是掩膜法，既利用事先光刻好的模板(某些位置)挡住或(而另一些位置)漏过欲蒸发的导电材料(比如铝、银或金等)。电极的形状与模板的光刻图样相同。但是，由于机械间隙的缘故和模板材料的局限性，电极的条纹不能做得太细。无法满足高清析度的要求。1994年，C.W.Tang，公开了一种美国专利号5,276,380，专利名称“有机电致发光图象显示器件”，用光刻的办法在导电ITO玻璃上，预制与ITO条纹垂直的隔离柱的技术。该技术之目的是取代掩膜技术，提高矩阵屏的分辨率。但是，该技术要求有质量优良(价格昂贵)的光刻机和无尘的环境以及其他苛刻条件等；原因是该技术的核心—隔离柱，是采用光刻方法实现的。该技术的另一个缺点是容易短路；因为有机层在隔离柱与ITO的接触面附近比较薄，使得此处的电极材料有渗透到下面的阳极ITO之上的可能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题既克服掩膜法对板困难、线条粗糙的缺陷，又解决了光刻成本过高、工艺烦琐等问题。提供一种电致发光器件制备工艺中背电极制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法，其特征在于该方法的具体步骤(1)设计背电极的条纹图案；(2)选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章；(3)利用该图章，将聚亚胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓振波，张梦欣，梁春军，王永生，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：