电致发光显示装置的激光修复方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电场发光显示装置的激光修复方法，为不会造成针孔所引发的黑点，而能修复短路不良处的技术。其系在异物（１００）的周边区域设定照射区域（１１１），以照射激光。不会对附着有异物（１００）的有机ＥＬ元件（６０）造成伤害，而能防止针孔产生。而且，若对偏离异物（１００）的周边区域照射激光，则其能量将会以照射区域（１１１）为中心呈同心圆状地传递，并间接地也供应到异物（１００）。因此，可在阳极层（６１）与阴极层（６５）之间形成高电阻区，而得以修复异物（１００）所带来的短路不良处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及EL(Electro Luminescence电场发光)显示装置的激光修复方法，该EL显示装置具有多个像素，并于各个像素具有夹在阳极层与阴极层中的EL层所构成的EL元件。
技术介绍
近年来，使用有机电场发光(Electro Luminescence以下称之为「EL」)元件的有机EL显示装置被视为取代CRT(Cathode ray tube阴极射线管)或LCD(Liquid crystal display液晶显示器)的显示装置，而受到瞩目。图5，系显示有机EL元件构造的剖面图；为于玻璃基板等的透明绝缘基板10上，形成由ITO(Indium-Tin Oxide铟钖氧化物)所构成的阳极层(anode)1，并在其上积层由空穴输送层(HTL)2、发光层(EML)3及电子输送层(ETL)4构成的有机EL层，然后在该有机EL层上形成阴极层(cathode)5。当在阳极层1与阴极层2之间施加电位差，使驱动电流流经该有机EL元件时，从阳极层1注入的空穴与从阴极层5注入的电子会在发光层3内部再结合，而激发形成发光层3的有机分子以产生激子(exciton)。该激子在放射衰化的过程中，从发光层放射出光，该光从透明的阳极层1通过透明绝缘基板射出到外部而发光。上述的有机EL层及阴极层5，系利用使用金属罩幕的蒸镀法形成。在该蒸镀制程中，会有异物6附着在如图6所示的有机EL元件形成区。因此，在阳极层1与阴极层5之间会产生短路，而使阳极层1与阴极层5之间的电位差消失。如此一来，驱动电流不会流经有机EL元件，就会在像素区产生所谓的黑点(dark spot熄点)。因此，以具有预定波长(例如1056nm)的激光照射该异物6，来烧切掉异物，以上述方式除掉经激光照射的像素，而使周边的像素区得以正常发光。相关的先前技术文献系揭示在下列专利文献1中。(专利文献1)日本专利特开2000-195677号公报然而，当未能对异物6照射适切的激光时，由于该能量会伤害阴极层5等，而使阴极层等产生断裂，以致可能会在有机EL元件部分造成针孔(pinhole)。当形成该针孔时，水分会从针孔渗入元件内部引起元件特性的劣化，产生显示不良的黑点。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的，系在提供一种能够抑制产生该种针孔的EL显示装置的激光修复方法。本专利技术的EL显示装置的激光修复方法，是在具有多个像素，并于各个像素具有在阳极层与阴极层之间隔着EL层所构成EL元件的EL显示装置的激光修复方法中，藉由检测出附着在前述EL元件上的异物，并以激光照射该异物周边区域，而使附着前述异物的像素阳极层与阴极层之间形成高电阻区。依照本专利技术，并非是直接对异物照射激光，而是对其周边区域进行激光照射。以上述方式，可以防止对附着异物的有机EL元件造成伤害。此外，若对异物的周边区域照射激光，因为其能量也会间接地供给到异物，所以透过适切地设定激光照射区，可在阳极层与阴极层之间形成高电阻区，就可修复异物造成的短路不良处。附图说明图1为适用于本专利技术的EL显示装置的平面图。图2(a)、(b)为适用于本专利技术的EL显示装置的平面图。图3为说明本专利技术实施形态的EL显示装置的激光修复方法的平面图。图4为说明本专利技术实施形态的EL显示装置的激光修复方法的平面图。图5为习知例有机EL元件的剖面图。图6为习知例有机EL元件的剖面图。1、61 阳极层(anode) 2、62空穴输送层(HTL)3、63 发光层(EML) 4、64电子输送层(ETL)5、65 阴极层(cathode) 6、100 异物10透明绝缘基板12、32 栅极绝缘膜15层间绝缘膜 17 平坦化绝缘膜30开关用TFT 33、43 主动层33s、43s 源极40 驱动用TFT41栅极36、43d 漏极43c 通道51 栅极信号线52漏极信号线 53 驱动电源线54保持电容电极线 55 电容电极56保持电容60 有机EL元件66第2平坦化绝缘膜 111 照射区域112 高电阻化区域115 像素具体实施方式其次，边参照图标边详细说明本专利技术的实施方式。首先，说明适用于本专利技术的有机EL显示装置。图1系显示有机EL显示装置像素附近的平面图，图2(a)系显示图1中A-A线的剖面图，图2(b)系显示图1中B-B线的剖面图。如图1及图2所示，在栅极信号线51与漏极信号线52所围成的区域中形成像素115，且该像素115配置成矩阵状。在该像素115系配置有自发光元件的有机EL元件60、控制供给电流给该有机EL元件60的时序的开关用TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)30、供应有机EL元件60电流的驱动用TFT40，以及保持电容56。在两信号线51、52的交叉点附近设有开关用TFT30，该TFT30的源极33s除了兼具与保持电容电极线54之间形成电容的电容电极之外，并连接到EL元件驱动用TFT40的栅极41。EL元件驱动用TFT40的源极43s系连接到有机EL元件60的阳极61，而另一方的漏极43b系连接到供应电流至有机EL元件60的电流源，即驱动电源线53。保持电容电极线54系配置成与栅极信号线51平行，该保持电容电极线54系由铬等构成，并隔着栅极绝缘膜12与连接在TFT30源极33s的电容电极55之间蓄积电荷而成电容。该保持电容56，系为保持施加于EL元件驱动用TFT40的栅极41电压而设的。如图2所示，有机EL显示装置系于由玻璃或合成树脂等所构成的基板或具有导电性的基板还是半导体基板等的基板10上，依TFT及有机EL元件的顺序积层形成而成。不过，在使用具导电性基板及半导体基板作为基板10时，系在该等基板10上形成SiO2或SiN等的绝缘膜之后，形成第1、第2TFT及有机EL元件。所有的TFT，其栅极皆为隔着栅极绝缘膜位于主动层上方的所谓顶闸构造。首先，就开关用TFT30加以说明。如图2(a)所示，在由石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘基板10上，以CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积法)法等成长非晶硅膜(以下称「a-Si膜」)，再以激光照射该a-Si膜使熔融再结晶而形成多晶硅膜(以下称「p-Si膜」)，并将该多晶硅膜作为主动层33。并在主动层33上形成SiO2膜、SiN膜的单层或积层体以作为栅极绝缘膜32，然后在栅极绝缘膜32上设置由Cr、Mo等高融点金属所构成的栅极31而兼作为栅极信号线51，以及由Al所构成的漏极信号线52，且配置由Al所构成的驱动电源线53来作为有机EL元件的驱动电源。然后，在栅极绝缘膜12及主动层33上，全面形成依SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的顺序所积层的层间绝缘膜15，并在对应漏极33d所设的接触孔设置充填了Al等金属的漏极36，再全面形成由有机树脂所成用以平坦表面的平坦化绝缘膜17。其次，就有机EL元件的驱动用TFT40加以说明。如图2(b)所示，在由石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘基板10上，以激光照射a-Si膜以依序形成多晶化的主动层43、栅极绝缘膜12，及由Cr、Mo等高融点金属所成的栅极41，而在该主动层43设置通道43c，以及在此通道43c两侧的源极43s和漏极43d。接着，在栅极绝缘膜12及主动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电场发光显示装置的激光修复方法，是在具备多个像素，且于各个像素具有电场发光层位在阳极层与阴极层间而构成的电场发光元件的电场发光显示装置的激光修复方法中，藉由检测附着在前述电场发光元件上的异物，并对该异物的周边区域照射激光，而在附着前述异物的像素的阳极层与阴极层之间形成高电阻区域。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-21 2003-0123811.一种电场发光显示装置的激光修复方法，是在具备多个像素，且于各个像素具有电场发光层位在阳极层与阴极层间而构成的电场发光元件的电场发光显示装置的激光修复方法中，藉由检测附着在前述电场发光元件上的异物，并对该...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川龙司，永田良三，小川隆司，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]