【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在中，对含有钽层或氮化钽层中至少一种的导电层进行蚀刻的方法；尤其涉及在中，对含有钽层及氮化钽层的任何一种金属栅电极的蚀刻方法。
技术介绍
在现有的半导体集成电路所采用的绝缘栅场效应晶体管(MISFET)中，因为形成低电阻的原因，通常把掺杂了高浓度杂质的多结晶硅层作为栅电极。但是，众所周知，尽管构成栅电极的多结晶硅层掺杂了高浓度杂质，但在沟道反转时栅极绝缘层侧面仍会发生部分耗尽。如果发生这样的部分耗尽时，与栅电极串联插入电容是等效的，完全降低了沟道所需的实效电场。其结果，使MISFET的电流驱动能力下降。为了解决这个问题，研究使用不能因低电阻引起栅电极耗尽的金属作为栅电极材料。在日本专利第1999-168212号公告中，公开了用钽作为金属栅电极的技术。在该文献里，阐述了通过用SiCl4等离子体对钽膜进行各向异性蚀刻而形成栅电极的方法(段落0015)。然而，根据本专利技术人的研究证明，当只用SiCl4进行各向异性蚀刻时，钽不能被均匀地蚀刻，有部分残留在衬底上，若将其完全蚀刻需要相当长的时间。再有，在日本专利第2002-83805号公告中，公开了将...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤在半导体层的上面形成绝缘层；在所述绝缘层的上面，形成含有钽层和/或氮化钽层之中的至少一种的导电层；以及使用含有SiCl4和NF3的气体蚀刻所述导电层。2.一种半导体装置的制造方法，依次包括以下步骤在半导体层的上面形成绝缘层；在所述绝缘层的上面，形成含有钽层和/或氮化钽层之中的至少一种的导电层；使用含有NF3和碳氟化合物的气体蚀刻所述导电层；以及使用含有SiCl4和NF3的气体蚀刻所述导电层。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述NF3相对于所述SiCl4与NF3之和的流量比是1～30％。4.根据权利...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。