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半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:3209890
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一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤: 在半导体层的上面形成绝缘层; 在所述绝缘层的上面,形成含有钽层和/或氮化钽层之中的至少一种的导电层;以及 使用含有SiCl↓[4]和NF↓[3]的气体蚀刻所述导电层。...
该专利属于精工爱普生株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。
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