加工半导体晶片的方法技术

一种加工半导体晶片的方法，所述半导体晶片具有被在其正面上设置成网格形式的沟道所分成的大量矩形区域，在各所述矩形区域内形成了电路，所述方法包括：　　　　安装步骤，其中在保护性基底上安装所述半导体晶片，使得所述半导体晶片的正面与所述保护性基底上的至少在其中心区域具有大量微孔的一个侧面相对；　　　　研磨步骤，其中将安装有所述半导体晶片的所述保护性基底固定在研磨用夹具上，并利用研磨装置对所述半导体晶片的暴露出来的背面进行研磨；　　　　传送步骤，其中从所述研磨用夹具上取下所述保护性基底，然后将安装在从所述研磨用夹具上取下的所述保护性基底上的所述半导体晶片的背面粘贴在固定装置上，之后从所述半导体晶片的正面上除去所述保护性基底；和　　　　切割步骤，其中将安装有所述半导体晶片的所述固定装置固定在切割用夹具上，并在所述半导体晶片的暴露出来的正面上应用切割装置，以便沿着所述沟道切割所述半导体晶片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，所述晶片具有被在正面上设置成网格形式的沟道(street)所分成的大量矩形区域，在各矩形区域内形成了电路。更具体地说，本专利技术涉及一种，包括利用研磨装置对半导体晶片的背面进行研磨的步骤，以及通过在半导体晶片的正面使用切割装置而沿着沟道切割半导体晶片的步骤。
技术介绍
本领域的普通技术人员已众所周知，在半导体芯片的生产中，由设于半导体晶片正面上的网格形式的沟道分成了大量的矩形区域，在各个矩形区域内形成了半导体电路。对半导体晶片的背面进行研磨以减少半导体晶片的厚度，然后沿着这些沟道切割半导体晶片以使矩形区域相互分开，从而形成半导体芯片。为了研磨半导体晶片的背面，在半导体晶片的正面上粘贴保护性树脂胶带以保护半导体电路，半导体晶片在贴有胶带的正面朝下的状态下夹持在研磨用夹具上，也就是说，半导体的正面和背面倒转过来，并且将研磨装置应用到半导体晶片的背面上。为了沿着沟道切割半导体晶片，将半导体晶片安装在固定装置上。固定装置一般包括在中心具有安装孔的安装框架和以跨过安装孔的方式粘贴在安装框架上的胶带，将半导体晶片的背面粘贴到处于安装框架的安装孔中的安装胶带上，以便将半导体晶片安装在安装装置上。将贴在半导体晶片正面上的保护性树脂胶带除去，将安装了半导体晶片的安装装置夹持在切割用夹具上，并在半导体晶片的暴露出来的正面上应用切割装置。目前，通常希望能显著地降低半导体晶片的厚度，例如减小至100微米或更小，尤其是50微米或更小，以便形成极小尺寸和轻重量的半导体芯片。因此，当半导体晶片的厚度变得很小时，半导体晶片的刚性也变得很低，从而使得非常难以处理半导体晶片，例如在将半导体晶片从研磨用夹具上取下后传送半导体晶片以将其安装在固定装置上。当采用具有较高刚性的胶带、例如较大厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或薄片作为通过适当的粘合剂而粘贴在半导体晶片正面上的保护性树脂胶带时，就可以传送半导体晶片。然而，当较高刚性的胶带粘贴在半导体晶片的正面时，很难将胶带从半导体晶片的正面上撕下来而不损坏半导体晶片。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种加工半导体晶片的新颖且优良的方法，其可使半导体晶片按照要求进行处理而不会对它造成损坏，即使在对半导体晶片的背面进行研磨以显著地减小其厚度时也是如此。在本专利技术中，为了实现上述主要目的，在对半导体晶片的背面进行研磨之前，将半导体晶片安装在保护性基底上，使得半导体晶片的正面与保护性基底上的至少在其中心区域具有大量微孔的一个侧面相对。也就是说，根据本专利技术，为了实现上述主要目的，提供了一种，所述半导体晶片具有被在其正面上设置成网格形式的沟道所分成的大量矩形区域，在各矩形区域内形成了电路，所述方法包括安装步骤，其中在保护性基底上安装半导体晶片，使得半导体晶片的正面与保护性基底上的至少在其中心区域具有大量微孔的一个侧面相对；研磨步骤，其中将安装有半导体晶片的保护性基底固定在研磨用夹具上，并利用研磨装置对半导体晶片的暴露出来的背面进行研磨；传送步骤，其中从研磨用夹具上取下保护性基底，然后将安装在从研磨用夹具上取下的保护性基底上的半导体晶片的背面粘贴在固定装置上，之后从半导体晶片的正面上除去保护性基底；和切割步骤，其中将安装有半导体晶片的固定装置固定在切割用夹具上，并在半导体晶片的暴露出来的正面上应用切割装置，以便沿着沟道切割半导体晶片。在一个优选实施例中，固定装置包括在中心处具有安装孔的安装框架以及以跨过安装孔的方式粘贴在安装框架上的安装胶带，在传送步骤中，将安装在从研磨用夹具上取下的保护性基底上的半导体晶片的背面粘贴到处于安装框架的安装孔中的安装胶带上，以便将半导体晶片安装在固定装置上。优选的是，在安装步骤中，在半导体晶片的正面上涂覆树脂溶液，在使半导体晶片的正面与保护性基底的一个侧面相面对之前或之后使溶剂蒸发，以便形成具有粘附力的树脂薄膜，并且通过树脂薄膜将半导体晶片安装在保护性基底上。最好通过在半导体晶片的正面上涂覆树脂溶液微滴并以10到3000转/分钟(rpm)的转速旋转半导体晶片来将树脂溶液涂覆到半导体晶片的正面上。树脂薄膜最好具有1到100微米的厚度。在传送步骤中，最好在从半导体晶片的正面上除去保护性基底之前通过保护性基底的微孔来将溶剂提供给树脂薄膜，以便溶解该树脂薄膜。树脂溶液最好是水溶性的，溶剂最好是水。在安装步骤中，半导体晶片的正面可通过双面涂覆胶带而粘附在保护性基底的一个侧面上。或者，在安装步骤中，半导体晶片的正面和保护性基底的一个侧面可通过水而接触粘合在一起。在通过水将半导体晶片的正面接触粘合到保护性基底的一个侧面上之前，最好将保护性树脂胶带粘贴在半导体晶片的正面上。在传送步骤中，对保护性基底进行加热以使存在于半导体晶片的正面和保护性基底之间的水分蒸发掉。在传送步骤中，最好在将半导体晶片的背面粘贴在安装装置上之前将管芯连接膜粘贴在半导体晶片的背面上。优选的是，保护性基底具有围绕着中心区域的框架区域，在框架区域中未形成微孔，半导体晶片安装在保护性基底的中心区域中。优选的是，保护性基底的微孔与中心区域的面积比为1到50％微孔具有0.1到1.0毫米的直径。保护性基底最好由厚度为0.1到1.0毫米的金属片形成。附图说明图1是半导体晶片的典型示例的透视图；图2是显示了用于通过树脂薄膜将半导体晶片安装在保护性基底上的安装步骤的透视图；图3是显示了对通过树脂薄膜而安装在保护性基底上的半导体晶片的背面进行研磨的状态的剖视图；图4是显示了在传送步骤中将管芯连接膜粘贴在半导体晶片的背面上的方式的透视图；图5是显示了在传送步骤中将半导体晶片安装在固定装置上的方式的透视图；图6是显示了安装在固定装置上的半导体晶片的状态的透视图；图7是显示了已从安装在固定装置上的半导体晶片上除下来的保护性基底的状态的透视图；和图8是显示了沿着沟道切割半导体晶片的状态的透视图。具体实施例方式下面将参考附图来详细地介绍根据本专利技术的一个优选实施例的。图1显示了半导体晶片的典型示例。所示半导体晶片2的形状类似于圆片，并具有形成于圆片的一部分周边处的称为“定位平面”的直线边4和由在正面上设置成网格形式的沟道6所分成的大量矩形区域8。在各矩形区域8内形成了半导体电路。参考图1和图2，在根据本专利技术的中，首先进行将半导体晶片2安装在保护性基底10上的步骤。所示保护性基底10在整体上形状类似于圆片，并具有圆形的中心区域12和环形的框架区域14。中心区域12具有与半导体晶片2相对应的直径。在中心区域12中形成了大量的微孔16。微孔16与中心区域12的面积比是1到50％，微孔具有优选为0.1到1.0毫米、最好为约0.5毫米的直径。在实心的框架区域14上未形成微孔。保护性基底10最好由厚度为0.1到1.0毫米、特别是约0.5毫米的金属片形成，例如具有弹性的SUS420不锈钢片。保护性基底10也可根据需要由合适的合成树脂来形成。在本专利技术的该优选实施例中，为了将半导体晶片2安装在保护性基底10上，在半导体晶片2的正面上涂覆树脂溶液18。最好可通过在半导体晶片2的正面上涂覆树脂溶液微滴并以约10到3000rpm的转速旋转半导体晶片2来进行树脂溶液18的涂覆。然后，将此半导体晶片2叠放在保护性基底10的中心区域12上，使得置于支撑装置2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工半导体晶片的方法，所述半导体晶片具有被在其正面上设置成网格形式的沟道所分成的大量矩形区域，在各所述矩形区域内形成了电路，所述方法包括安装步骤，其中在保护性基底上安装所述半导体晶片，使得所述半导体晶片的正面与所述保护性基底上的至少在其中心区域具有大量微孔的一个侧面相对；研磨步骤，其中将安装有所述半导体晶片的所述保护性基底固定在研磨用夹具上，并利用研磨装置对所述半导体晶片的暴露出来的背面进行研磨；传送步骤，其中从所述研磨用夹具上取下所述保护性基底，然后将安装在从所述研磨用夹具上取下的所述保护性基底上的所述半导体晶片的背面粘贴在固定装置上，之后从所述半导体晶片的正面上除去所述保护性基底；和切割步骤，其中将安装有所述半导体晶片的所述固定装置固定在切割用夹具上，并在所述半导体晶片的暴露出来的正面上应用切割装置，以便沿着所述沟道切割所述半导体晶片。2.根据权利要求1所述的加工半导体晶片的方法，其特征在于，所述固定装置包括在中心处具有安装孔的安装框架以及以跨过所述安装孔的方式粘贴在所述安装框架上的安装胶带，在所述传送步骤中，将安装在从所述研磨用夹具上取下的所述保护性基底上的所述半导体晶片的背面粘贴到处于所述安装框架的安装孔中的所述安装胶带上，以便将所述半导体晶片安装在所述固定装置上。3.根据权利要求1所述的加工半导体晶片的方法，其特征在于，在所述安装步骤中，在所述半导体晶片的正面上涂覆树脂溶液，在使所述半导体晶片的正面与所述保护性基底的所述侧面相面对之前或之后使溶剂蒸发，以便形成具有粘附力的树脂薄膜，并且通过所述树脂薄膜将所述半导体晶片安装在所述保护性基底上。4.根据权利要求3所述的加工半导体晶片的方法，其特征在于，通过在所述半导体晶片的正面上涂覆树脂溶液微滴并以10到3000转/分钟的转速旋转所述半导体晶片来将所述树脂溶液涂覆到所述半导体晶片的正面上。5.根据权利要求3所述的加工半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢岛兴一，北村政彦，波冈伸一，南条雅俊，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：