光掩模制造方法和半导体器件制造方法技术

技术编号:3209057 阅读:140 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光掩模制造方法,其特征是具备:    准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序;    根据所述数据,分别对所述掩模图形中包括的多个图形,计算图形边缘变动时与应设定的曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序;     根据所述计算出的边缘移动灵敏度,特定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序;     在所述掩模基板上实际形成掩模图形的工序;     取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序;以及    根据所述取得的尺寸,判定所述掩模基板上形成的掩模图形是否满足预定条件的工序。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光掩模制造方法和使用该方法的半导体器件制造方法。
技术介绍
近年来,要求光掩模的尺寸精度迅速变得严格起来,例如掩模面内的尺寸均匀性,一般认为需要10nm以下。光掩模的制造工序中,判断合格品或不合格品的项目很多,现有只要这些项目之中一个项目不满足规格的产品,就认为是不合格品。但是,在要求光掩模的尺寸精度严格的现状下,决定光掩模的成品率必然地恶化。现有,要这样决定光掩模的规格,即便各项目全部刚好成为规格值的临界值的情况下,也获得所要求的曝光裕度。但是,实际上对制成的光掩模来说,全部项目都刚好成为规格值的临界值是极其稀罕的,大多场合,某项目超过规格值,而其它项目保持余裕并纳入规格值范围内居多。因而对于作为不合格品处理的光掩模中,存在能得到要求曝光裕度的掩模。即,假定即使有超过规格值的项目,其它项目保持余裕并纳入规格值范围内的场合,作为全体有时候也能得到要求的曝光裕度。为避免上述这样的不合适,例如专利文献1中,公开一种基于光掩模的图形尺寸平均值和面内均匀性计算曝光裕度,按照其计算结果判定光掩模好坏的方法。但是,按该方法,即使可以抽出曝光裕度小的图形,也难以抽出潜在地使曝光裕度恶化的部位。所以,按该方法,不能说一定确实能够抽出用于判定光掩模好坏时用的管理部位。专利文献1特开2002-72440号公报这样,现有技术是难以适当抽出判定光掩模好坏时使用的管理部位(危险部位)。
技术实现思路
本专利技术就是对上述现有的课题而做出专利技术的,其目的在于提供一种能够适当抽出用于判定光掩模好坏时的管理部位,能够适宜且容易判定光掩模好坏的光掩模制造方法和使用该方法的半导体器件制造方法。本专利技术的光掩模制造方法,其特征是具备准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序;按照所述数据,计算分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时,与应设定的曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序;按照所述计算的边缘移动灵敏度,特定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序;在所述掩模基板上实际形成掩模图形的工序;取得与所述掩模基板上形成掩模图形的所述管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序;以及按照所述取得的尺寸,判定所述掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。本专利技术的光掩模制造方法,其特征是具备准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序;按照所述数据,分别对所述掩模图形中包括的多个图形,计算与相邻图形之间的距离的工序;按照所述计算出的距离,特定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序;在所述掩模基板上实际形成掩模图形的工序;取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序;以及按照所述取得的尺寸,判定所述掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。附图说明图1是表示本专利技术第1实施例的光掩模制造方法的流程图。图2是表示本专利技术第2实施例的光掩模制造方法的流程图。图3是表示加工窗口的一例图。图4是表示有关设计数据的网格等的图。图5是表示本专利技术第3实施例的光掩模制造方法的流程图。图6是表示本专利技术第4实施例的光掩模制造方法的流程图。图7是表示本专利技术第5实施例的光掩模制造方法的流程图。图8是表示本专利技术第6实施例的光掩模制造方法的流程图。图9是表示相邻图形尺寸与边缘移动灵敏度的关系图。图10是表示相邻图形间距离与边缘移动灵敏度的关系图。图11是表示相邻图形间距离与边缘移动灵敏度的关系图。具体实施例方式下面,参照附图说明本专利技术的实施例。(实施例1)图1是表示本专利技术笫1实施例的光掩模制造方法的流程图。首先,把进行接近效应校正等数据处理的掩模数据(设计数据)输入运算装置(S1)。进而,设定进行曝光时的条件(波长、数值孔径、照明形状等)和掩模条件(例如,掩模种类(半色调型移相掩模、列文森型移相掩模等)或掩模透射率等)(S2)。其次,为了求出光刻裕度,设定散焦值d和掩模边缘移动量(光掩模上应形成的图形的边缘移动量)m(S3)。接着,设定用于对每个掩模边缘计算光刻裕度的光刻胶边缘允许移动量±ΔCD(对CD(临界尺寸对应于与掩模图形相对应的光刻胶图形加工尺寸)的允许移动量)(S4)。接着,设定为抽出危险图形而使用的曝光裕度阈值ELmin、边缘移动灵敏度DM的上限值DMmax和下限值DMmin(S5)。进而,设定用于判别合格品或不合格品的允许曝光裕度ELbudget(S6)。这里,对上述边缘移动灵敏度DM进行说明。把具有要求的适宜尺寸(目标尺寸)的掩模图形复制到光刻胶上,将形成具有要求的适宜尺寸(目标尺寸)的光刻胶图形用的曝光量作为适宜曝光量。即,利用有适宜尺寸的掩模图形,以适宜曝光量进行曝光时,就能够获得具有适宜尺寸的光刻胶图形。但是,有时制作偏离适宜尺寸的掩模图形,这种情况下,通过以偏离适宜曝光量的曝光量进行曝光,可形成具有适宜尺寸的光刻胶图形。另一方面,距掩模图形适宜尺寸的偏移量Δm(对应于掩模边缘移动量m)与按照偏移量Δm从要设定的曝光量的适宜曝光量的偏移量ΔE的关系随图形而变化。所以,可以认为ΔE与Δm的关系,在抽出危险图形方面将成为重要的因素。因此,要把与ΔE/Δm对应的边缘移动灵敏度DM用作指标,在步骤S5设定边缘移动灵敏度DM的上限值DMmax和下限值DMmin。步骤S6以后,使掩模边缘(掩模图形的边缘)只移动步骤S3中设定的移动量m(对应于Δm)(S7)。接着,通过光刻模拟,计算光刻胶图形的形状(光刻胶像R)。具体点说,对各图形的边缘通过计算,求出在最佳聚焦且掩模边缘没有移动的光刻胶像R(d=0,m=0),在散焦量d且掩模边缘没有移动的光刻胶像R(d,m=0),以及在最佳聚焦且掩模边缘移动量m的光刻胶像R(d=0,m)(S8)。接着,对每个掩模边缘求出曝光裕度EL和边缘移动灵敏度DM,并将其分配给各掩模边缘(S9)。进而,判断分配给各边缘的曝光裕度EL和边缘移动灵敏度DM是否满足规定的条件。具体点说,判断曝光裕度EL是否小于阈值ELmin(EL<ELmin)、边缘移动灵敏度DM是否小于DMmin(DM<DMmin)、以及边缘移动灵敏度DM是否大于(DM>DMmax)。而且,抽出变成「EL<ELmin」、「DM<DMmin」、或「DM>DMmax」的边缘Pj作为危险部位(管理部位)。但是,Pj(j=1、2、...、n)表示各边缘的部位(S10)。接着,对实际制成的光掩模,如上述一样把抽出的危险部位作为测定点,测定光掩模上的各图形尺寸(设定各测定点的尺寸为Mj)(S11)。接着,根据测定的各图形尺寸Mj、在步骤S9对每个掩模边缘求出的曝光裕度(ELj)和边缘移动灵敏度(DMj),求出共同裕度ELcom(S12)。在这里,对上述共同裕度ELcom进行说明。曝光裕度ELj和边缘移动灵敏度DMj,随图形尺寸Mj而变动。所以,ED树(将横轴设为曝光量,纵轴设为散焦位置的坐标平面)上的加工窗口,随Mj、ELj和DMj而变化。因此,把各图形(各边缘)的加工窗口的共同部分作为共同裕度ELcom,在步骤S12进行求解。接着,将在步骤S6中设定的允许曝光裕度ELbudget和步骤S12中求出的共同裕度ELcom进行比较(S13)。而且,当满足ELbudget<ELcom的条件情况下,判本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模制造方法,其特征是具备准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序;根据所述数据,分别对所述掩模图形中包括的多个图形,计算图形边缘变动时与应设定的曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序;根据所述计算出的边缘移动灵敏度,特定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序;在所述掩模基板上实际形成掩模图形的工序;取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序;以及根据所述取得的尺寸,判定所述掩模基板上形成的掩模图形是否满足预定条件的工序。2.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是所述判定工序包括根据所述取得的尺寸,判定所述掩模基板上形成的掩模图形的曝光裕度是否满足规定条件的工序。3.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是还具备根据所述数据,分别对所述掩模图形中所包括的多个图形计算曝光裕度的工序,所述管理部位,根据所述计算出的边缘移动灵敏度和所述计算出的曝光裕度而被特定。4.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是还具备根据所述数据,分别对所述掩模图形中所包括的多个图形计算距CD值的适宜值的偏移量ΔCD的工序,所述管理部位,根据所述计算出的边缘移动灵敏度和所述计算出的偏移量ΔCD而被特定。5.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是计算所述边缘移动灵敏度时的计算位置与所述数据中的网格位置对应。6.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是计算所述边缘移动灵敏度时的计算位置与接近效应校正中使用的分割点或计算点对应。7.按照权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征是取得所述尺寸的工序包括,测定在与所述管理部位对应的区域中所包括的特定图形尺寸的工序,和根据所测定的尺寸推定与所述管理部位对应的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员:野岛茂树三本木省次田中聪小谷敏也长谷部茂桥本耕治井上壮一池永修
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:

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