【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置，具体地说，涉及能防止半导体晶片的边缘区域内图案崩坏的半导体装置。
技术介绍
由于半导体装置的高度集成化，因此在生产过程中会有一些附带发生的问题，其中之一是在半导体存储器装置的单元边缘区域内产生图案缺陷。例如，在用于形成多图案(如组成该半导体装置的隔离条型图案)的生产过程中，强制进行一构图工序以使光刻工艺中单元边缘区域内产生的邻近效应(proximity effect)最小。此处，由于该邻近效应是一种表层(skin)效应，其意味着当多个导电材料紧密排列时流经每个导电材料的电流密度随着该电流的方向、数量或频率会改变。为在单元边缘区域内形成有效图案，用在单元边缘区域内形成线型图案的相同方式形成虚设图案。由于当前半导体装置高度集成化的趋势，藉由在单元中心区域内形成线型图案的同样条件在该单元边缘区域内形成条型图案，以改善线宽均匀性。图1说明在传统半导体装置的单元中心与边缘区域内形成的条型图案的平面图。图2图示说明在传统半导体装置的单元边缘区域内的图案崩坏；图3是扫描电子显微镜SEM的显微照片图，显示在形成有条型图案的单元边缘区域内的虚设图案...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，在晶片的边缘区域中的图案密度低于中心区域中的图案密度，其包括多个条型图案，其以一预定距离配置在该晶片的该中心区域中；多个虚设图案，其形成在该边缘区域内；以及多个连接图案，用于互相耦合该等条型图案中至少两个条型图案，其中该等多个虚设图案的该等连接图案以一锯齿模式配置。2.如权利要求1的半导体装置，其中该等条型图案是用于装置隔离层或者着陆插塞接触的图案。3.如权利要求2的半导体装置，其中该等虚设图案包括第一条型图案；第二条型图案，配置为与该第一条型图案相隔一预定距离；以及用于连接该第一条型图案与该第二条型图案的该连接图案。4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李圣权，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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