【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体器件制造方法和半导体器件技术，确切地说是涉及到可用于半导体器件设计方法的技术。
技术介绍
本专利技术人曾经讨论的半导体器件设计技术涉及到至少具有一个在设计数据指引下的衬底偏置电路的半导体器件的设计技术。可能有这样的情况，其中，当保持低阈值电压的电路单元存在于半导体器件的电路单元中以改善运行速度时，由于阈值电压的这一降低而出现例如泄漏电流的问题，从而在测试时导致功耗增大和热击穿。衬底偏置电路是这样一种电路，当希望抑制电路单元中的泄漏电流时，预定的电压被施加到电路单元所处的阱，从而增大电路单元的阈值电压，以便抑制泄漏电流，而当电路单元高速运行时，停止向阱供应电压，阈值电压于是再次降低，从而实现高速运行。下面介绍一个具有CMOS电路的半导体器件的衬底偏置电路的具体例子。作为这一例子，其中，构成CMOS电路的一个晶体管排列在其中的第一阱与高电位侧上的第一电源，经由第一开关晶体管被彼此连接，而构成CMOS电路的另一晶体管排列在其中的第二阱与参考电位侧上的第二电源，经由第二开关晶体管被彼此连接。当这样构成的半导体器件被测试时，第一和第二开关晶体管被关...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个电路单元、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个电路单元的第一布线、用来在第一电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的开关、馈送用来控制开关工作的信号的第二布线、以及用来将第一电位或高于第一电位的第三电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区的第三布线；以及(b)使开关的功能无效，并将第二布线和第三布线连接到第一布线，使施加到多个电路单元的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位。2.根据权利要求1的方法，其中，多个电路单元的各个半导体衬底区包括第一导电类型的半导体衬底区以及导电类型与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体衬底区，开关具有p沟道场效应晶体管和n沟道场效应晶体管，第二布线具有p沟道场效应晶体管的第二布线和n沟道场效应晶体管的第二布线，且第三布线包括第一导电类型半导体衬底区的布线和第二导电类型半导体衬底区的布线。3.根据权利要求1的方法，其中，第二布线和第三布线以及第一布线被连接在内部电路区中。4.根据权利要求1的方法，其中，第二布线和第三布线以及第一布线被连接在外围电路区中。5.根据权利要求1的方法，其中，多个电路单元被制作有存储单元和逻辑门或输入/输出电路。6.根据权利要求1的方法，还包含用多个电路单元中不需要馈送第三电位的第一电路单元组和多个电路单元中需要馈送第三电位的第二电路单元组将第二和第三布线彼此分隔开的步骤，其中所述(b)步骤对连接到第一电路单元组的第二和第三布线进行。7.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个电路单元、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个电路单元的第一布线、用来在第一电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的开关、馈送用来控制开关工作的信号且部分地与第一布线交叉的第二布线、以及用来馈送第一电位或高于第一电位的第三电位且部分地与第一布线交叉并被连接到多个电路单元的各个半导体衬底区的第三布线；以及(b)使开关的功能无效，并将第二布线在与第一布线的交叉点处连接到第一布线，且将第三布线在与第一布线的交叉点处连接到第一布线，使施加到多个电路单元的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位。8.根据权利要求7的方法，其中，第二布线和第三布线以及第一布线被连接在内部电路区中。9.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有内部电路区、排列在内部电路区中的多个电路单元、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个电路单元的第一布线、用来在第一电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的第一开关、排列在内部电路区周围的多个输入/输出电路单元、排列在多个输入/输出电路单元的每一个中并用来在第一电位馈送到输入/输出电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到输入/输出电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的第二开关、馈送用来控制各个第一和第二开关工作的信号的第二布线、以及用来馈送第一电位或高于第一电位的第三电位且连接到多个电路单元和多个输入/输出电路单元的各个半导体衬底区的第三布线；以及(b)使第一和第二开关的功能无效，并将第二布线和第三布线连接到第一布线，使施加到多个电路单元和多个输入/输出电路单元的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位。10.根据权利要求9的方法，其中，第二布线和第三布线以及第一布线被连接在外围电路区中。11.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个电路单元、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个电路单元的第一布线、用来在第一电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的开关、馈送用来控制开关工作的信号的第二布线、以及用来将第一电位或高于第一电位的第三电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区的第三布线；(b)利用多个电路单元中不需要馈送第三电位的第一电路单元组和多个电路单元中需要馈送第三电位的第二电路单元组，将第二和第三布线彼此分隔开；以及(c)对于第一电路单元组，使开关的功能无效，并将连接到第一电路单元组的第二布线和第三布线连接到第一布线，使施加到第一电路单元组的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位。12.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个场效应晶体管、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个场效应晶体管的第一布线、用来在第一电位馈送到多个场效应晶体管的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个场效应晶体管的各个半导体衬底区之间执行转换的开关、馈送用来控制开关工作的信号的第二布线、以及用来将第一电位或高于第一电位的第三电位馈送到多个场效应晶体管的各个半导体衬底区的第三布线；(b)利用多个场效应晶体管中不需要馈送第三电位的第一场效应晶体管组和多个场效应晶体管中需要馈送第三电位的第二场效应晶体管组，将第二和第三布线彼此分隔开；以及(c)对于第一场效应晶体管组，使开关的功能无效，并将连接到第一场效应晶体管组的第二布线和第三布线连接到第一布线，使施加到第一场效应晶体管组的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位。13.根据权利要求12的方法，其中，第二场效应晶体管组的阈值低于第一场效应晶体管组的阈值。14.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个电路单元、用来将对应于电源电位的第一电位馈送到多个电路单元的第一布线、用来在第一电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区与第一电位不馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区之间执行转换的开关、馈送用来控制开关工作的信号的第二布线、以及用来将第一电位或高于第一电位的第三电位馈送到多个电路单元的各个半导体衬底区的第三布线；以及(b)使开关的功能无效，并安置连接单元来代替开关，此连接单元具有用来将第二布线和第三布线连接到第一布线，使施加到多个电路单元的各个半导体衬底区的电位固定到电源电位的信息。15.根据权利要求14的方法，其中，连接单元被安置在内部电路区中。16.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤(a)准备半导体器件的设计数据，此半导体器件具有多个电路部分、分别连接到多个电路部分且分别用来在电源电位馈送到电路部分与电源电位不馈送到电路部分之间执行转换的多个电源开关、以及用来控制多个电源开关的工作的电源开关控制装置；(b)将连接到多个电路部分的总...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田裕之，佐佐木敏夫，渡边彰信，山田利夫，内田明久，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：
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