横向PIN二极管及其制造方法技术

一种ＰＩＮ二极管（１０），其包括：一Ｐ区域（１６），形成于一基底（１４）之一第一表面（１２）；一Ｎ区域（１８），形成于该基底（１４）之该第一表面（１２）；以及一中间区域（２０），形成于该基底（１４）之该第一表面（１２），以及，形成于该Ｐ区域（１６）及该Ｎ区域（１８）之间，其中，该中间区域（２０）之一掺质浓度系低于该Ｐ区域（１６）之一掺质浓度，并低于该Ｎ区域（１８）之一掺质浓度。另外，该ＰＩＮ二极管（１０）更具有一第一导电构件（２６），排列于该Ｐ区域（１６）之一侧边，其中，该第一导电构件（２６）系背对于该中间区域（２０）；以及一第二导电构件（２８），排列于该Ｎ区域（１８）之一侧边，其中，该第二导电构件（２８）系背对于该中间区域（２０）。该ＰＩＮ二极管（１０）最好系利用一隔离层，该隔离层之表面系覆盖着另一隔离层（２４），藉以与该基底（１４）分离，其中，该隔离层系背对于该基底（１４），并且，该隔离层系利用填满隔离材料之渠沟（３４）横向包围，藉以达到充分隔离及密封。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明横向PIN二极管及其处理方法 本专利技术系有关于一种PIN二极管及其处理方法。特别是，本专利技术系有关于一种具有横向电流方向之PIN二极管。PIN二极管系在一具有P掺质之P区域及一具有N掺质之N区域间系具有一中间区域之半导体二极管，其中，这个中间区域之掺质浓度系远小于这个P区域及这个N区域，并且，这个中间区域亦可以称为一本质区域或I区域。除此以外，PIN二极管系大量应用于高频电路，其中，这些PIN二极管系可以应用于各种功能，藉以做为频率在50GHz以上之被动型高频二极管。对于许多应用而言，我们系期待或需要具有”长”I区域之PIN二极管。已知，PIN二极管系呈现垂直结构，亦即P掺质半导体层、淡掺质半导体层、N掺质半导体层，藉此，P区域、I区域、N区域便可以根据这个连续顺序及其相反顺序，分别生长于基底或晶圆表面。这个I区域的所谓长度系对应于淡掺质半导体层的厚度。利用这种方式，虽然任何可想象到之长度均可以透过生长对应厚度的淡掺质半导体层完成制造，但实务上，这种方式却可能会导致各种技术问题。另一方面，我们亦期待或需要将阳极及阴极的接触或焊垫排列于这个装置的单一或相同侧边，举例来说，排列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＰＩＮ二极管（１０）之制造方法，其包括下列步骤：形成一Ｐ区域（１６）于一基底（１４）之一第一表面（１２）；形成一Ｎ区域（１８）于该基底（１４）之该第一表面（１２），并且，该Ｎ区域（１８）系与该Ｐ区域（１８）间隔； 形成一中间区域（２０）于该基底（１４）之该第一表面（１２），并系介于该Ｐ区域（１６）及该Ｎ区域（１８）之间，其中，该中间区域（２０）之一掺质浓度系低于该Ｐ区域（１６）之一掺质浓度，并低于该Ｎ区域（１８）之一掺质浓度；形成一第一导电构 件（２６）于该Ｐ区域（１６）之一侧边，并系背对于该中间区域（２０）；以及形成一第二导电构...

【技术特征摘要】
DE 2001-6-8 10127952.31.一种PIN二极管(10)之制造方法，其包括下列步骤形成一P区域(16)于一基底(14)之一第一表面(12)；形成一N区域(18)于该基底(14)之该第一表面(12)，并且，该N区域(18)系与该P区域(18)间隔；形成一中间区域(20)于该基底(14)之该第一表面(12)，并系介于该P区域(16)及该N区域(18)之间，其中，该中间区域(20)之一掺质浓度系低于该P区域(16)之一掺质浓度，并低于该N区域(18)之一掺质浓度；形成一第一导电构件(26)于该P区域(16)之一侧边，并系背对于该中间区域(20)；以及形成一第二导电构件(28)于该N区域(18)之一侧边，并系背对于该中间区域(20)。2.如权利要求第1项所述之方法，更包括下列步骤提供该基底(14)及一装置基底；以及晶圆连结该基底(14)及该装置基底，其中，该P区域(16)、该N区域(18)、及该中间区域(20)系形成于该装置基底，并系隔离于该基底(14)。3.如权利要求第2项所述之方法，更包括下列步骤形成一渠沟(34)于该装置基底之一区段，该区域系毗邻该中间区域(20)，其中，该渠沟(34)系由该装置基底之一表面延伸，其中，该表面系背对于该基底(14)，以及，该渠沟(34)系延伸至该装置基底之一表面，其中，该表面系相对于该基底(14)；以及利用一隔离材料填满该渠沟(34)。4.如权利要求第3项所述之方法，其中，该渠沟(34)系进一步形成于该装置基底之复数区段，其中，该等区段系毗邻该P区域(16)及该N区域(18)。5.如权利要求第2至4项之任何一项所述之方法，其中，该P区域(16)或该N区域(18)系分别利用下列步骤形成形成一渠沟于该装置基底，以及，分别利用P掺质或N掺质复晶硅填满该渠沟；或者分别植入P材料或N材料于该装置基底之预定区域；或者形成一渠沟于该装置基底，分别加入P材料或N材料至该渠沟，以及，扩散加入材料至该装置基底在该渠沟周围之区域。6.如权利要求第1至5项之任何一项所述之方法，更包括下列步骤形成一隔离层(24)于该P区域(16)、该N区域(18)、及该中间区域(20)之表面，并系背对于该基底之该第一表面。7.如权利要求第1至5项之任何一项所述之方法，更包括下列步骤形成复数焊垫(30，32)于该P区或(16)及该N区域(18)之表面，其中，并系背对于该基底之该第一表面。8.一种PIN二极管(10)，其包括一P区域(16)，形成于一基底(14)之一第一表面(12)；一N区域(18)，形成于该基底(14)之该第一表面(12)；一中间区域(20)，形成于该基底(14)之该第一表面(12)，以及，形成于该P区域(16)及该N区域(18)之间，其中，该中间区域(20)之一掺质浓度系低于该P区域(16)之一掺质浓度，并系低于该N区域(18)之一掺质浓度；一第一导电构件(26)，排列于该P区域(16)之一侧边，并系背对于该中间区域(20)；以及一第二导电构件(28)，排列于该N区域(18)之一侧边，并系背对于该中间区域(20)。9.如权利要求第8项所述之PIN二极管(10)，具有一隔离层(22)于该基底(14)表面，以及，具有一装置基...

【专利技术属性】
技术研发人员：R佩希尔，P森格，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]