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一种ＰＩＮ二极管（１０），其包括：一Ｐ区域（１６），形成于一基底（１４）之一第一表面（１２）；一Ｎ区域（１８），形成于该基底（１４）之该第一表面（１２）；以及一中间区域（２０），形成于该基底（１４）之该第一表面（１２），以及，形成于该Ｐ区域...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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