半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于形成高质量的穿透电极。在已形成集成电路１２的半导体基板１０上，从第一面２０形成凹部２２。在凹部２２上设置导电部３０。从相反于半导体基板１０的第一面２０的第二面３８上凸出导电部３０。磨削或研磨导电部３０使其新生面露出为止。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
人们正在开发三维安装形态的半导体装置。而且已经知道为了三维安装成为可能，在半导体芯片上形成穿透电极。穿透电极是从半导体芯片凸出形成的。在以往所知道的穿透电极的形成方法中，电连接时的特性优越地形成穿透电极的凸出部分是很困难的。
技术实现思路
本专利技术的目的是形成高质量的穿透电极。(1)本专利技术涉及的，包括(a)形成有集成电路的半导体基板上，从第一面形成凹部；(b)在上述凹部上设置导电部；(c)从相反于上述半导体基板的上述第一面的第二面，凸出上述导电部；以及(d)磨削或研磨上述导电部，使其新生面露出为止的工序。根据本专利技术，因为露出导电部的新生面，可以形成电连接时的特性优越的穿透电极。(2)在该中，也可以在上述(a)工序后、(b)工序前，还包括上述凹部的底面和内壁面上设置绝缘层的工序，在上述(b)工序中，在上述绝缘层的内侧上设置导电部。(3)在该中的上述的(c)工序中，也可以被上述绝缘层覆盖的状态，凸出上述导电部，在上述的(d)工序中，磨削或研磨上述绝缘层和上述导电部。(4)在该的在上述的(c)工序中，也可以利用对上述半导体基板的蚀刻量多于对上述绝缘层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其中包括：（ａ）形成有集成电路的半导体基板上，从第一面形成凹部；（ｂ）在上述凹部上设置导电部；（ｃ）从相反于上述半导体基板的上述第一面的第二面上凸出上述导电部；以及，（ｄ）磨削或研磨上述导电部，使其新生面露出为止的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-15 2003-0072801.一种半导体装置的制造方法，其中包括(a)形成有集成电路的半导体基板上，从第一面形成凹部；(b)在上述凹部上设置导电部；(c)从相反于上述半导体基板的上述第一面的第二面上凸出上述导电部；以及，(d)磨削或研磨上述导电部，使其新生面露出为止的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述(a)工序后、(b)工序前，还包括在上述凹部的底面和内壁面上设置绝缘层的工序，在上述(b)工序中，在上述绝缘层的内侧设置导电部。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述的(c)工序中，被上述绝缘层覆盖的状态，使上述导电部凸出，在上述的(d)工序中，磨削或研磨上述的绝缘层和上述的导电部。4.权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：原一巳，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]