金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法制造技术

一种金属元件的形成方法，其包括：在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤和在种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在种子层形成步骤中，在处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在抗液部分外的区域中形成种子层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属元件的形成方法、半导体器件的生产方法、电子器件的生产方法、半导体器件、电子器件和电子设备。本申请要求2003年1月15日申请的日本专利申请2003-7047的优先权，此处引入该申请作为参考。
技术介绍
从传统上讲，用在半导体器件和电子器件中的金属元件通常使用诸如Al(铝)的金属。但是，随着对更小更快的半导体器件和更高性能的电子器件需求的增加，用铝布线等保证足够高的性能日益困难。提供比铝高级的电迁移阻抗且提供小电阻的铜布线技术作为一种潜在的解决该问题的方法正受到大量关注，并且在各个潜在的领域中得到广泛研究。在用铜形成金属元件时，铜的性能意味着刻蚀法不是特别适用，因此要使用公知的波纹装饰法(damascene)，将铜金属充填到预制沟槽中。在波纹装饰法中，在对由氧化硅等形成的中间层绝缘膜进行表面处理时预先形成预定的沟槽，然后用铜金属填充到这些沟槽内，然后通过CMP(化学机械抛光)除去所有多余的铜金属。可用于在这些沟槽内形成铜金属膜的已知方法的一个例子是如日本专利特开平(JP-A)平11-238703中所述的方法首先形成种子层，然后用该种子层形成镀层。用溅射法等方法形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属元件的形成方法，其包括：在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤；和　在所述种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在所述种子层形成步骤中，在所述处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在所述抗液部分 外的区域中形成所述种子层。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-15 2003-0070471.一种金属元件的形成方法，其包括在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤；和在所述种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在所述种子层形成步骤中，在所述处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在所述抗液部分外的区域中形成所述种子层。2.根据权利要求1的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤和所述镀层形成步骤中，所述种子层和所述镀层是用相同的材料形成的。3.根据权利要求1的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤和所述镀层形成步骤中，所述种子层和所述镀层是用不同的材料形成的。4.根据权利要求1的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中使用包括金属原子的液体材料。5.根据权利要求4的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中使用包括铜原子的液体材料。6.根据权利要求4的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中使用包括有机铜化合物的液体材料。7.根据权利要求1的金属元件的形成方法，其还包括在其上已形成有所述镀层的所述处理表面上形成绝缘膜的绝缘膜形成步骤；和在所述镀层形成步骤完成后进行的、用于刻蚀所述绝缘膜和曝光所述镀层的刻蚀步骤。8.根据权利要求7的金属元件的形成方法，其中，在所述绝缘膜形成步骤中，将已经作为薄膜形成的绝缘膜转移到所述处理表面上，在所述处理表面上形成所述绝缘膜。9.根据权利要求7的金属元件的形成方法，其中，在所述绝缘膜形成步骤中，所述绝缘膜的形成方法是将含有绝缘物质的液体材料与所述处理表面接触，然后进行热处理。10.一种金属元件的形成方法，其包括在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤；和在所述种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，所述处理表面包括凹陷部分，并且，在所述种子层形成步骤中，用液相法在所述凹陷部分内形成所述种子层。11.根据权利要求10的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中，在中间层绝缘膜中形成的所述凹陷部分中形成所述种子层。12.根据权利要求10的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中，在抗蚀层中形成的所述凹陷部分中形成所述种子层。13.根据权利要求10的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤中，包括所述凹陷部分内表面的所述处理表面的表面具有抗液性能。14.根据权利要求10的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤和所述镀层形成步骤中，所述种子层和所述镀层是用相同的材料形成的。15.根据权利要求10的金属元件的形成方法，其中，在所述种子层形成步骤和...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫川拓也，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]