【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在同一半导体衬底上混合装载了CMOS逻辑部和用途各不相同的多个DRAM部的半导体装置，具体地说，涉及既确保充分的信号保持特性又同时满足低功耗化和高速性能化的DRAM混合装载系统LSI。
技术介绍
近年来，为了满足对于多样化的半导体装置的要求，在同一芯片上混合装载以往在各自的芯片上安装的CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑部和作为存储装置的通用DRAM(动态随机存取存储器)部的DRAM混合装载系统LSI芯片正越来越引人注目。所谓DRAM混合装载系统LSI芯片，例如在以进行图像处理等为目的情况下，指的是在同一芯片上混合装载成为蓄积作为图像信息的信号的存储装置的DRAM部和从DRAM部取出必要的信息并根据该信息进行运算处理的CMOS逻辑部的芯片。按照以上那样的DRAM混合装载系统LSI芯片，与通过在互不相同的芯片上安装CMOS逻辑部和DRAM部来进行数据或信息的授受的以往的情况相比，具有加快了通信速度的优点。此外，混合装载CMOS逻辑部和多个DRAM部的半导体装置，例如由在硅衬底上形成的CMOS逻辑部、和具有在硅衬底中形成了特定的一种单元电容器(存储单...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于在同一半导体衬底上设置了由具有第1电容的第1存储单元构成的第1DRAM部和由具有与上述第1电容不同的第2电容的第2存储单元构成的第2DRAM部。2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于上述第1DRAM部的工作电压比上述第2DRAM部的工作电压高，同时上述第1电容比上述第2电容小。3.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于在上述半导体衬底中设置了上述第1存储单元的电容下部电极，同时没有在上述半导体衬底中设置上述第2存储单元的电容上部电极和电容下部电极。4.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于上述第1存储单元的电容下部电极由硅构成，而且未将其表面作成粗糙的面，同时上述第2存储单元的电容下部电极由硅构成，而且将其表面作成粗糙的面。5.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于由互不相同的材料构成上述第1存储单元的电容绝缘膜和上述第2存储单元的电容绝缘膜。6.一种半导体装置，其特征在于在同一半导体衬底上设置了由具有第1电容元件的第1存储单元构成的第1DRAM部和由具有第2电容元件的第2存储单元构成的第2DRAM部，利用第1栓连接了上述半导体衬底与上述第1电容元件，同时利用第2栓连接了上述半导体衬底与上述第2电容元件，由互不相同的材料构成了上述第1栓和上述第2栓。7.如权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于上述第1栓与上述半导体衬底的接触电阻、与上述第2栓与上述半导体衬底的接触电阻不同。8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序通过在半导体衬底中的第1存储器区域上依次形成第1电容绝缘膜和第1电容上部电极来形成第1电容元件的工序；在被形成了上述第1电容元件的上述半导体衬底上形成层间绝缘膜的工序；在上述层间绝缘膜中的第2存储器区域中形成与上述半导体衬底连接的栓的工序；以及通过在上述层间绝缘膜中的第2存储器区域上依次形成与上述栓连接的第2电容下部电极、第2电容绝缘膜和第2电容上部电极来形成第2电容元件的工序。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序在半导体衬底上形成层间绝缘膜的工序；在上述层间绝缘膜中的第1存储器区域和第2存储器区域中分别形成与上述半导体衬底连接的第1栓和第2栓的工序；在上述层间绝缘膜中的第1存储器区域上形成由硅构成且与上述第1栓连接的的第1电容下部电极、...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴田义行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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