薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，利用该制造方法可减少阵列制作的光罩数，其包括下列步骤：沉积一第一金属层于一透明基板上，并定义第一金属层以形成至少二相邻栅极电极；在上述栅极电极表面上形成一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一半导体层，并定义该半导体层以形成预定的形状；在上述透明基板上沉积一第二金属层，并定义该第二金属层以形成一源极／漏极金属层；沉积一绝缘层于上述透明基板上；定义该绝缘层、该源极／漏极金属层及栅极绝缘层以形成一接触窗，且此接触窗位于上述相邻栅极电极之间；沉积一透明导电层于上述透明基板上；以及形成一黑矩阵区于该接触窗的上方对应区域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种可减少薄膜晶体管液晶显示器的阵列光罩层数的制造方法。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display，以下简称LCD)是目前被最广泛使用的一种平面显示器，其具有低消耗电功率、薄型轻量以及低电压驱动等特征，可以应用在个人电脑、文书处理器、导航系统、游乐器、投影机、取景器(view finder)以及生活中的手提式机器，例如手表、电子计算机、电视机等的显示方面。液晶显示器的显示原理是利用液晶分子所具有的介电异方性及导电异方性，于外加电场时会使液晶分子的排列状态转换，造成液晶薄膜产生各种光电效应。而薄膜晶体管(thin film transistor，以下简称TFT)-LCD即是利用TFT作为主动元件，使其具有低消耗电功率、低电压驱动、薄、轻等优点。请参考图1A至图1E，图1A至图1E是显示传统薄膜晶体管液晶显示器制作流程的剖面图。首先，如图1A所示将一金属层，如钼/铝—钕合金，沉积于一透明基板21上，再利用一道光蚀刻工艺(微影蚀刻工艺)将该金属层定义形成一栅极电极(gate electrode)22。接着，再在栅极电极22表面上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　沉积一第一金属层于一透明基板上，并定义该第一金属层，以形成至少二相邻的栅极电极；　　　　在上述栅极电极表面上形成一栅极绝缘层；　　　　在该栅极绝缘层上形成一半导体层，并定义该半导体层以形成预定的形状；　　　　在该透明基板上沉积一第二金属层，并定义该第二金属层以形成一源极／漏极金属层；　　　　沉积一绝缘层于该透明基板上；　　　　定义该绝缘层、该源极／漏极金属层及该栅极绝缘层以形成一接触窗，且该接触窗位于所述相邻栅极电极之间；　　　　沉积一透明导电层于该透明基板上；以及　　　　形成一黑矩阵区于该接触窗的上方对应区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤沉积一第一金属层于一透明基板上，并定义该第一金属层，以形成至少二相邻的栅极电极；在上述栅极电极表面上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一半导体层，并定义该半导体层以形成预定的形状；在该透明基板上沉积一第二金属层，并定义该第二金属层以形成一源极/漏极金属层；沉积一绝缘层于该透明基板上；定义该绝缘层、该源极/漏极金属层及该栅极绝缘层以形成一接触窗，且该接触窗位于所述相邻栅极电极之间；沉积一透明导电层于该透明基板上；以及形成一黑矩阵区于该接触窗的上方对应区域。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其中，该第一金属层是为钼/铝—钕合金层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，该第二金属层为纯铝金属、铝—铌合金、铝—钕合金、铝—钛合金或铝—硅—铜合金。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，该栅极绝缘层通过利用化学气相沉积工艺沉积一氧化物层的方式形成。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，该绝缘层为利用化学气相沉积工艺沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈茂松，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]