薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器制造技术

技术编号:3204964 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种液晶显示器,包括具有栅极的栅极线;与像素电极重叠并形成存储电容的存储电极;在栅极线上形成的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成的半导体层;在栅极绝缘层上形成并具有两个以上弯曲部分和与栅极线交叉部分的数据线;以栅极为中心分别与源极面对并相接半导体层的漏极;覆盖半导体层的钝化层;在钝化层上形成并与漏极电连接,与数据线邻接的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管显示板和与像素电极面对形成液晶电容的共同电极的共同电极显示板。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器
技术介绍
液晶显示器(LCD)通常是在共同电极与滤色器所形成的上部基板和薄膜晶体管及像素电极所形成的下部基板之间注入液晶材料,并向像素电极和共同电极施加不同电位电压形成电场,以改变液晶分子的排列,从而调整光透射比,并显示图像的装置。但液晶显示器具有视角小的缺点,为了克服这种缺点开发了多种方案来扩大其视角,其中最具说服力的是将液晶分子对上下基板垂直排列,再对像素电极和与其对应电极的共同电极上形成折叠图案或形成突起的方法。然而,形成折叠图案和突起的方法因突起和折叠图案部分降低了纵横比,为了弥补这一点,开发了尽量使像素电极形成宽的超高纵横比结构,但这种超高纵横比结构因邻近的像素电极间距太小,因此像素电极间形成很强的侧向电场。因此,像素电极边缘部的液晶分子受该侧向电场的影响其排向被打乱,由此造成条纹或光泄漏,特别是数据线和共同电极间的偶合环驱动两者间的液晶分子并引发数据线附近的光泄漏,导致画质下降。为了遮挡这种光泄漏要形成宽的黑阵,其又成为纵横比下降的原因。另外,随着液晶显示器的大型化,像素的大小也随之变大,但像素大小如果不超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管显示板,包括:绝缘基板;第一信号线,在所述绝缘基板上形成;第二信号线,在所述绝缘基板上形成并具有与所述第一信号线绝缘交叉的部分和两个以上弯曲部分;像素电极,在所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的每个像素上形成;薄膜晶体管,与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接,其中所述第二信号线弯区部分和延伸的部分以所述像素长度为单位反复出现。

【技术特征摘要】
KR 2003-6-26 10-2003-00419871.一种薄膜晶体管显示板,包括绝缘基板;第一信号线,在所述绝缘基板上形成;第二信号线,在所述绝缘基板上形成并具有与所述第一信号线绝缘交叉的部分和两个以上弯曲部分;像素电极,在所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的每个像素上形成;薄膜晶体管,与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接,其中所述第二信号线弯区部分和延伸的部分以所述像素长度为单位反复出现。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板,其特征在于,所述第二信号线的所述弯区部分基本上与所述第一信号线成45度或-45度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板,其特征在于,还包括与所述第一信号线并列的第三信号线,与所述像素电极连接的导电体或所述薄膜晶体管端子与所述第三信号线的一部分重叠并形成存储电容。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板,其特征在于,所述薄膜晶体管中与所述第二信号线连接的端子与所述第二信号线分支部分连接。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板,其特征在于,所述像素电极由通过折叠部以所述数据线为中心分离的副像素电极组成。6.一种薄膜晶体管显示板,包括绝缘基板;栅极线,在所述绝缘基板上形成并具有栅极;栅极绝缘层,在栅极上形成;半导体层,在所述栅极绝缘层上形成;漏极,具有两个以上弯曲部分和与所述栅极线交叉的部分并具有与所述半导体层相接源极的数据线及以所述栅极为中心分别与所述源极面对并与所述半导体层相接;钝化层,覆盖所述半导体层;以及像素,与所述漏极连接并与所述数据线邻接的边缘沿着所述数据线弯曲。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管显示板,其特征在于,所述数据线弯曲部分包括与所述栅极线成45度的第一部分和与所述栅极线成-45度的第二部分。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管显示板,...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓英美白承洙金东奎
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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