电路阵列基板制造技术

在玻璃基板３上形成相互绝缘的多晶硅半导体层２１和伪多晶硅半导体层２５。栅极绝缘膜３１形成于多晶硅半导体层２１、伪多晶硅半导体层２５以及玻璃基板３上。栅极绝缘膜３１由扫描和栅极线１１覆盖，它与多晶硅半导体层２１和伪多晶硅半导体层２５重叠。多晶硅半导体层２１与扫描和栅极线１１耦合以限定电容器Ｃａ并与参考电位耦合以限定电容器Ｃｂ。同样，伪多晶硅半导体层２５与扫描和栅极线１１耦合以限定电容器Ｃｃ并与参考电位耦合以限定电容器Ｃｄ。电容器Ｃｃ和Ｃｄ增加与这些Ｃａ和Ｃｂ并联的电容以抑制在形成扫描和栅极线１１后由于过程中产生的静电荷引起的施加到扫描和栅极线１１与多晶硅半导体层２１之间的栅极绝缘膜３１上的电压的增加。因此，可以抑制栅极绝缘膜３１处的静电击穿以及像素５的点缺陷。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路阵列基板和包含其的平板显示装置，尤其涉及薄膜晶体管电路阵列基板和包含其的平板显示装置。本申请基于并要求2003年8月18日提交的在先日本特许公开No.2003-294584的优先权，在此全文并入以供参考。
技术介绍
一种诸如液晶显示装置的平板显示装置包括薄膜晶体管电路阵列基板。这种薄膜晶体管电路阵列基板具有绝缘基板和按矩阵形式形成在该绝缘基板上的像素。每个像素包含像素电极、电容器和薄膜晶体管的排列。薄膜晶体管由基板上形成的岛状多晶硅膜制成。薄膜晶体管和岛状多晶硅膜由栅极绝缘膜涂覆，在该栅极绝缘膜上依次沉积了栅电极和扫描线。此外，辅助电容器线形成于栅极绝缘膜上作为共用电容器线但它与扫描线分开。扫描和辅助电容器线由夹层绝缘膜覆盖。信号线形成于夹层绝缘膜上，形成穿过其的接触孔以便将多晶硅膜电连接到信号线。液晶显示装置进一步包括反向基板，它包含彩色滤光片绝缘层。该反向基板被设置成与电路阵列基板相对。液晶被置入电路阵列和反向基板之间限定的间隙。随后，该间隙在其周围被密封。如上所述的这种现有技术的液晶显示装置揭示于日本未审查的特许公开No.2000-187248，其第4-6页本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路阵列基板，其特征在于，包括：透光基板；薄膜晶体管，它形成于所述透光基板上，具有第一半导体层、栅极绝缘膜和栅极线；以及第二半导体层，它形成于所述透光基板上，其中，所述栅极线通过所述栅极绝缘膜与所述第一和 第二半导体层重叠。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-18 2003-2945841.一种电路阵列基板，其特征在于，包括透光基板；薄膜晶体管，它形成于所述透光基板上，具有第一半导体层、栅极绝缘膜和栅极线；以及第二半导体层，它形成于所述透光基板上，其中，所述栅极线通过所述栅极绝缘膜与所述第一和第二半导体层重叠。2.如权利要求1所述的电路阵列基板，其特征在于，按一过程制成所述第一半导体层，且按与所述第一半导体层相同的制作过程制成所述第二半导体层。3.如权利要求2所述的电路阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘膜形成于所述透光基板上，以及所述栅极线形成于所述栅极绝缘膜上。4.如权利要求3所述的电路阵列基板，其特征在于，进一步包括覆盖所述栅极线和所述栅极绝缘膜的第一绝缘膜，其中所述第一绝缘膜通过应用等离子体化学汽相沉积制成，所述透光基板是玻璃基板，以及所述第一和第二半导体层是多晶硅半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：川村哲也，
申请(专利权)人：东芝松下显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]